德國Diener PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積設備
該PECVD系統可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類(lèi)金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。主要技術(shù)參數:PC控制軟件RF發(fā)生器 0~3000W 脈沖模式腔體防腐處理,400*400*1500mm,240L腔體加熱80℃帶觀(guān)察窗多路工藝氣體通道,MFC控制 防腐處理HMDSO單體通道易燃易爆氣體安全閥Gas Shower氣浴電極設備外尺寸2000*600*1700mm進(jìn)口真空泵組電壓 3項400V