Rpo-6型化學(xué)機械拋光機主要特點(diǎn)
技術(shù)
化學(xué)機械拋光(CMP)是用來(lái)對正在加工中的晶片或其他物料進(jìn)行平坦化處理的過(guò)程，而拋光技術(shù)則是利用了物理和化學(xué)的協(xié)同作用對晶片進(jìn)行的拋光，通過(guò)給儲存在拋光片里樣本的底座一個(gè)加載力而完成的，當包含了研磨劑和活性化學(xué)劑兩種成分的拋光液通過(guò)底部時(shí)，拋光墊和樣本開(kāi)始計數旋轉。
原位摩擦
該儀器通過(guò)測量原位摩擦和磨損程度來(lái)研究基本的拋光技術(shù)，而摩擦的變化則可用來(lái)描述移除率的近似值。
原位墊片磨損
原位磨損率則可用來(lái)反應在拋光，調節等情況下墊片的狀態(tài)。
狀態(tài)
原位和非原位調節
晶片尺寸
易于替換的晶片夾具可在同一測試儀上進(jìn)行拋光樣品的尺寸由1英寸至6英寸。
泵
獨立的可編程泵可提供泥漿，水以及其他的化工產(chǎn)品。
消耗品和相關(guān)咨詢(xún)
我們所提供的標準拋光材料里包含的不僅僅是儀器還有一系列的消耗品(拋光液、拋光墊等)，與此同時(shí)，我們科學(xué)團隊也會(huì )為您提供有關(guān)工藝流程開(kāi)發(fā)和優(yōu)化的咨詢(xún)服務(wù)。
Rpo-6型化學(xué)機械拋光機規格
人工晶片裝載
臺式CMP研發(fā)系統
原位和非原位調節
使用可編程泵的泥漿和水管
高硬度和良好的力控制
340mm的滾筒直徑
6英寸的樣本
原位摩擦和墊片磨損選
打印尺寸 w870x，d800x，h870mm
應用程序—CMP，MEMS，消耗品測試
應用
拋光
工藝開(kāi)發(fā)
環(huán)境開(kāi)發(fā)
拋光液開(kāi)發(fā)
拋光墊表征
粒子開(kāi)發(fā)
