160WLED防爆燈尺寸；超亮BFE8126防爆照明燈

性能特點(diǎn)：160WLED防爆燈尺寸；超亮BFE8126防爆照明燈
1、一體式結構設計，隔爆型IIC級防爆等級，散熱性能好，防爆性能可靠；
2、用優(yōu)質(zhì)鋁合金材料壓鑄成型，外表面高科技圖噴處理，抗沖擊和防腐性能力強，可在戶(hù)外*使用；
3、選用綠色大功率LED固態(tài)光源，光效高、壽命長(cháng)，可實(shí)現*免維護，光線(xiàn)柔和均勻、無(wú)眩光，耗電量?jì)H為同光白織燈的20％， 經(jīng)濟環(huán)保；
4、透明件經(jīng)過(guò)優(yōu)化設計處理，選用進(jìn)口防彈膠材料，透光率高，抗沖擊性能好，能使燈具在各種惡劣環(huán)境下正常工作
5、全套電器采用進(jìn)口牌，功率因數高達0.9以上。功耗和溫升低、工作性能
6、帶裝用電纜引入裝置，密封性能良好，可直接鋼管或電纜布線(xiàn)。
7、可采用座式、壁掛式、吸頂式等多種安裝方式，安裝簡(jiǎn)單方便。

適用范圍：160WLED防爆燈尺寸；超亮BFE8126防爆照明燈
1、爆炸性氣體混合物危險場(chǎng)所：1區、2區
2、爆炸性氣體混合物： ⅡA、ⅡB、IIC
3、溫度組別：T1-T6
4、海拔高度不超過(guò)2000米
5、環(huán)境溫度25℃時(shí)，相對濕度95％以下
6、工作環(huán)境溫度-20℃～+40℃之間
7、適用于石油開(kāi)采、煉油、化工、航天等危險環(huán)境及海洋石油平臺、油輪等場(chǎng)所照明之用

技術(shù)參數：
隔爆標志：Exd IIC T6
防護等級：IP65
工作環(huán)境：-20℃～40℃～60℃
額定電壓：AC220V  50Hz
額定功率： 10W、20、30W、40W、50W、60W、70W、80W
光通量；4800-5280-8600
照度：＞100Lx（4.5米處測試
色溫：4500～6500K
顯像指數：＞75
重量：≤3.9Kg-4.95 Kg
外形尺寸：Φ230x240 mm和280x240mm

LED防爆燈也有自己的“身份牌”
LED防爆燈的其中一個(gè)非常重要的防爆原理就是限制與爆炸性氣體、爆炸性粉塵接觸的外殼表面、零部件表面或電子元器件表面的溫度以及限制電氣接觸表面溫度低于其小點(diǎn)燃溫度或引燃溫度。其原理同防爆燈相同，只不過(guò)光源是LED光源，是指為了防止點(diǎn)燃周?chē)ㄐ曰旌衔锶绫ㄐ詺怏w環(huán)境、爆炸性粉塵環(huán)境、瓦斯氣體等而采取的各種特定措施的燈具。LED防爆燈是目前節能的防爆燈具，廣泛用于油田-電廠(chǎng)-化工廠(chǎng)-石油-*。
和人一樣，每一款LED防爆燈都有其各自的“身份牌”，這“身份牌”上標注了以下信息：
1、防爆標志。
2、基本標志：包括產(chǎn)品名稱(chēng)、型號、制造廠(chǎng)名、注冊商標、出廠(chǎng)日期等。
3、性能安全標志：包括額定電壓、電流、標稱(chēng)頻率、光源功率和數量、允許環(huán)境溫度(該范圍僅為-20～+40℃時(shí)可不標)、特定的適用環(huán)境標志(如對僅適用某一種爆炸性氣體混合物的產(chǎn)品，須標明可燃氣體的名稱(chēng)或分子式)，防爆燈具的分類(lèi)標志(如"數字)等。
4、防爆合格證編號，證明產(chǎn)品已經(jīng)防爆檢驗站正式檢驗通過(guò)。有些產(chǎn)品防爆合格證編號后帶“x”符號，這表明該種產(chǎn)品只能在某種特殊的安全使用條件下使用，規定條件應在燈具外殼或產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)中明確醒目地注明。

今日采摘：今年是我國啟動(dòng)“半導體照明工程”十周年。近日，中科院半導體照明研發(fā)中心主任李晉閩向《中國科學(xué)報》記者介紹說(shuō)，我國在基于GaN基LED的白光照明技術(shù)方面已取得突飛猛進(jìn)的發(fā)展。在350毫安的工作電流下，白光LED的發(fā)光效率從2004年的20流明/瓦提高到2013年的150流明/瓦。
據了解，半導體照明的能源消耗只有普通白熾燈的1/10，但其壽命可達10萬(wàn)小時(shí)以上。據估算，如果半導體照明能占領(lǐng)我國1/3的照明市場(chǎng)，每年可節電2000億度，相當于兩個(gè)多三峽電站的發(fā)電量。2003年，在時(shí)任半導體所所長(cháng)李晉閩的建議下，*經(jīng)過(guò)深入調研和組織，正式啟動(dòng)“國家半導體照明工程”。2004年，數十家企業(yè)和科研單位聯(lián)合開(kāi)展半導體照明關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。2006年，經(jīng)過(guò)兩年的籌備后，中科院半導體照明研發(fā)中心正式成立。中心在深紫外LED研究方面結出了累累碩果。2008年，中心成功制備*支發(fā)光波長(cháng)在300納米以下的深紫外LED器件，實(shí)現了器件的毫瓦級功率輸出。“十二五”以來(lái)，在“863”項目支持下，由中科院半導體所牽頭、國內優(yōu)勢單位參與，目前已成功將深紫外LED的輸出功率提高到接近4毫瓦（20毫安電流下）。
同時(shí)，研發(fā)中心在LED產(chǎn)業(yè)的核心——MOCVD裝備核心技術(shù)開(kāi)發(fā)方面進(jìn)展順利，初步研制出48片生產(chǎn)型MOCVD設備，為實(shí)現產(chǎn)業(yè)化開(kāi)創(chuàng )了良好局面；研發(fā)出HVPE生長(cháng)系統，并在推廣型立式HVPE系統上開(kāi)發(fā)出HVPEGaN自支撐襯底的生長(cháng)技術(shù)。