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    集成電路清洗用超純水設備

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    集成電路清洗用超純水設備

    詳細介紹

      半導體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線(xiàn)路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業(yè)、大規模、超大規模集成電路需用大量的高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高,對水質(zhì)的要求也越高。目前我國電子工業(yè)部把電子級水質(zhì)技術(shù)分為五個(gè)行業(yè)標準,分別為18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm,以區分不同水質(zhì)。

      

      電子行業(yè)制備超水的工藝大致分成以下幾種:

      1、采用離子交換樹(shù)脂制備超純水的傳統水處理方式,其基本工藝流程為:原水→沙炭過(guò)濾器→精密過(guò)濾器→原水箱→陽(yáng)床→陰床→混床(復床)→純水箱→純水泵→后置精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)

      2、采用反滲透水處理設備與離子交換設備進(jìn)行組合的方式,其基本工藝流程為:原水→沙炭過(guò)濾器→精密過(guò)濾器→原水箱→反滲透設備→混床(復床)→純水箱→純水泵→后置精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)

      3、采用反滲透水處理設備與電去離子(EDI)設備進(jìn)行搭配的的方式,這是一種制取超純水的工藝,也是一種環(huán)保,經(jīng)濟,發(fā)展潛力巨大的超純水制備工藝,其基本工藝流程為:原水→沙炭過(guò)濾器→精密過(guò)濾器→原水箱→反滲透設備→電去離子(EDI)→純水箱→純水泵→后置精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)

      電子工業(yè)用超純水的應用領(lǐng)域

      1、半導體材料、器件、印刷電路板和集成電路;

      2、超純材料和超純化學(xué)試劑;

      3、實(shí)驗室和中試車(chē)間;

      4、汽車(chē)、家電表面拋光處理;

      5、光電產(chǎn)品;

      6、其他高科技精微產(chǎn)品;

      制備電子工業(yè)用超純水的工藝流程

      三種制備電子工業(yè)用超純水的工藝比較

      目前制備電子工業(yè)用超純水的工藝基本上是以上三種,其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎上進(jìn)行不同組合搭配衍生而來(lái)?,F將他們的優(yōu)缺點(diǎn)分別列于下面:

      1、種采用離子交換樹(shù)脂其優(yōu)點(diǎn)在于初投資少,占用的地方少,但缺點(diǎn)就是需要經(jīng)常進(jìn)行離子再生,耗費大量酸堿,而且對環(huán)境有一定的破壞。

      2、第二種采用反滲透作為預處理再配上離子交換設備,其特點(diǎn)為初投次比采用離子交換樹(shù)脂方式要高,但離子設備再生周期相對要長(cháng),耗費的酸堿比單純采用離子樹(shù)脂的方式要少很多。但對環(huán)境還是有一定的破壞性。

      3、第三種采用反滲透作預處理再配上電去離子(EDI)裝置,這是目前制取超純水經(jīng)濟,環(huán)保用來(lái)制取超純水的工藝,不需要用酸堿進(jìn)行再生便可連續制取超純水,對環(huán)境沒(méi)什么破壞性。其缺點(diǎn)在于初投資相對以上兩種方式過(guò)于昂貴。

      電子超純水設備特點(diǎn)

      設備通常由多介質(zhì)過(guò)濾器,活性碳過(guò)濾器,鈉離子軟化器、精密過(guò)濾器等構成前期預處理系統、RO反滲透主機系統、離子交換混床(EDI電除鹽系統)系統等構成主要設備系統。水箱均設有液位控制系統、水泵均設有壓力保護裝置、在線(xiàn)水質(zhì)檢測控制儀表、電氣采用PLC可編程控制器,真正做到了無(wú)人職守,同時(shí)在工藝選材上采用推薦和客戶(hù)要求相統一的方法,使設備與其它同類(lèi)產(chǎn)品相比較,具有更高的性?xún)r(jià)比和設備可靠性。

      所需注意事項:

      1. 確認RO系統操作是否正常:

      建議 RO 系統操作穩定后,才將進(jìn)流水切換至 CEDI模塊 系統,以避免 RO 啟動(dòng)初期水質(zhì)較差,影響模塊性能。

      2. 檢測進(jìn)流水水質(zhì):

      檢測進(jìn)流水水質(zhì),以確認進(jìn)流水質(zhì)符合要求,檢測 項目至少包括導電度、總硬度、二氧化矽、總氯及 CO2.若水質(zhì)有任 一項不符前述進(jìn)流水質(zhì)要求,即不可將水汲入 CEDI模塊 模塊,并需檢查前處理是否有問(wèn)題. 若進(jìn)流水 CO2 濃度太高(超過(guò)5ppm),即不建議將濃縮水回流至 RO 系統前貯槽(除非先將 CO2 去除),以避免造成 CO2 累積,影響產(chǎn)水水質(zhì)。

      3. 清洗管路:

      為避免管路中殘留管屑等污染物進(jìn)入模塊造成堵塞,建議在未試車(chē)前(包括架臺配管時(shí)),先不要將原廠(chǎng)所附進(jìn)出口之紅色套頭取出(但試車(chē)前一定要將該物取出). 在水進(jìn)入模塊前,需先確定其前處理管路中已無(wú)管屑等污染物.建議 於啟動(dòng)前先將模塊進(jìn)水接頭拆開(kāi),并以 RO 水沖洗管路。

      4. 測試各項安全保護裝置:

      1.)測試進(jìn)流水泵浦與 CEDI模塊 連動(dòng)裝置 測試進(jìn)流水泵浦與 CEDI模塊 連動(dòng)裝置,使得 CEDI模塊只有在進(jìn)流泵浦啟動(dòng)時(shí)才開(kāi)啟電源,且當 CEDI模塊電源沒(méi)有開(kāi)啟一段時(shí)間后要關(guān)閉進(jìn)流水泵浦。

      2.)流量開(kāi)關(guān)測試:?jiǎn)?dòng)前需先測試流量開(kāi)關(guān)是否會(huì )動(dòng)作,亦即沒(méi)水時(shí)電源關(guān)閉,通水啟動(dòng)流量開(kāi)關(guān)后(回路連通),直流電源才供應至模塊。

      5. 系統啟動(dòng)注意事項:

      1.)當上述安全保護測試完成后,再一次檢查管路閥門(mén)開(kāi)關(guān),確定閥門(mén)開(kāi)關(guān)正確后,才啟動(dòng)進(jìn)流泵浦。

      2.)進(jìn)流泵浦啟動(dòng)后,檢查電源供應是否正常啟動(dòng)。例如,以Ionpure 原廠(chǎng)顯示板為例,顯示板上燈號會(huì )由 Standby 跳至 On,若無(wú),先關(guān)閉進(jìn)流泵浦,并檢查流量開(kāi)關(guān)及各接線(xiàn)是否正常。

      3.)進(jìn)流泵浦啟動(dòng)后,以手動(dòng)閥,初期產(chǎn)水調整為 90%。

      4.)剛啟動(dòng)時(shí),先將電流調小(例如 0.5A),確定水流及電源沒(méi)問(wèn)題后, 再將電流慢慢調整到軟體計算所需之電流值(與進(jìn)流水質(zhì)、水量相 關(guān)),觀(guān)察電壓及出水水質(zhì). 啟動(dòng)初期水質(zhì)可能較差,切勿因水質(zhì)不佳,即貿然調高電流至遠超 過(guò)軟體所計算之值. 例如:進(jìn)流水質(zhì)導電度– 10μs/cm, CO2 – 8mg/l, SiO2 – 0.2mg/l 時(shí), 以計算軟體計算所需之電流為2.43 安培,則設定電流在約 2.5 安培,切勿一開(kāi)始即將電流調整超過(guò)該值(例如4.0 安培),以避免損壞模塊。

      5.)觀(guān)察進(jìn)出水壓力,并以手動(dòng)閥調整,使產(chǎn)水水壓略高於濃縮水壓約 2-5psi(若產(chǎn)水出口壓力低於濃縮水壓力,會(huì )影響產(chǎn)水水質(zhì))。

      6.)為避免 CEDI模塊 啟動(dòng)初期產(chǎn)水水質(zhì)不佳,建議於產(chǎn)水端設置二只自動(dòng)控制閥,并以 PLC 控制:當產(chǎn)水水質(zhì)低於要求時(shí),將CEDI模塊 產(chǎn)水回流至 CEDI模塊前貯槽,當水質(zhì)高過(guò)設定水質(zhì)時(shí),才切換至下一處理設備。

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