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    飛諾飛科技（上海）有限公司
    初級會(huì )員 | 第1年

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    全自動(dòng)金硅面壘型半導體探測器廠(chǎng)家

    參  考  價(jià)面議
    具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準

    產(chǎn)品型號

    品       牌

    廠(chǎng)商性質(zhì)其他

    所  在  地上海市

    更新時(shí)間：2025-05-06 15:42:22瀏覽次數：141次

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    我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導體探測器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對能量分辨率要求不高，作為放射性強度測量的探測器。

    金硅面壘型半導體探測器

    概述

    我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘半導體探測器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點(diǎn)，適用于對能譜要求高的場(chǎng)合，如氡釷分析儀等，B 系列在 A 系列的窗前鍍上一個(gè)保護層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點(diǎn)適用于對能量分辨率要求不高，作為放射性強度測量的探測器。

     

    技術(shù)規格

     

     

    型號

     

     

    工作電壓

     

     

    耗盡區厚度 μm

    對比ORTEC

    U-016-300-100 型

    探測器

    （Am-241 面源） 真空下測量能量分辯率 1.2?

    對比ORTEC

    U-016-300-100 型

    探測器

    （Am-241 面源） 真空下測量峰道址202

    A-AS20

    5~300VDC

    大于 1000

    0.7~1.4?

    204~206

    A-AS26

    5~300VDC

    大于 1000

    0.7~1.4?

    204~206

    B-AS20

    5~300VDC

    大于 1000

    4.0~4.9?

    189-191

    B-AS26

    5~300VDC

    大于 1000

    4.2~4.9?

    189-191


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