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    行業(yè)產(chǎn)品

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    薄膜熱電參數測試系統

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    具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準

    產(chǎn)品型號MRS-3/MRS-3RT

    品       牌

    廠(chǎng)商性質(zhì)其他

    所  在  地杭州市

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    更新時(shí)間:2023-08-23 22:32:44瀏覽次數:157次

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    經(jīng)營(yíng)模式:其他

    商鋪產(chǎn)品:420條

    所在地區:

    聯(lián)系人:錢(qián)經(jīng)理

    產(chǎn)品簡(jiǎn)介

    簡(jiǎn)要描述:武漢嘉儀通 MRS-3/MRS-3RT薄膜熱電參數測試系統專(zhuān)門(mén)針對薄膜材料的Seebeck系數和電阻率測量,測溫范圍達到81K~700K,采用動(dòng)態(tài)法測量Seebeck系數,避免了靜態(tài)測量在溫差測量上的系統誤差,測量更準確。

    詳細介紹

    薄膜熱電參數測試系統產(chǎn)品特點(diǎn)

    專(zhuān)門(mén)針對薄膜材料的Seebeck系數和電阻率測量。

    測試環(huán)境溫度范圍達到81K~700K。

    采用動(dòng)態(tài)法測量Seebeck系數,避免了靜態(tài)測量在溫差測量上的系統誤差,測量更準確。

    采用四線(xiàn)法測量電阻率。

    熱電偶探針經(jīng)過(guò)嚴格的篩選配對保證測試結果的準確和穩定。

    軟件操作簡(jiǎn)單,智能化可實(shí)現全自動(dòng)模式。

    薄膜熱電參數測試系統測試實(shí)例

    標準鎳帶測試結果

    東華大學(xué)MoS2測試結果

    MRS-3對Bi2Te3薄膜測試結果(電工研究所提供樣品)

    MRS-3對Bi2Te3薄膜測試結果(電工研究所提供樣品)

    薄膜熱電參數測試系統技術(shù)參數

    型號

    MRS-3

    MRS-3RT

    環(huán)境溫度

    81K~700K

    RT

    溫控方式

    PID程序控制

    /

    真空度

    ≤ 1Pa

    /

    測試氣氛

    真空

    空氣

    測量范圍

    貝克系數:S ≥ 8µV/K; 電阻率:0.1µΩ•m ~ 1000KµΩ•m

    分辨率

    貝克系數:0.05µV/K; 電阻率:0.05µΩ•m

    相對誤差

    貝克系數 ≤ 7%,電阻率 ≤ 5%

    測量模式

    自動(dòng)

    樣品尺寸

    長(cháng) x 寬:(10~18)x(4~14)mm2,薄膜厚度≥50nm

    主機尺寸

    采集箱:470x400x140,單位mm
    變溫裝置:直徑x高 460x800mm

    170x250x220,單位mm

    重量

    31.9kg

    3.5kg

    薄膜熱電參數測試系統樣品要求

    樣品滿(mǎn)足上述樣品尺寸,待測面需平整,薄膜均勻性好,保證與銅片接觸良好

    薄膜材料厚度可至100nm,其均勻性有較高要求,薄膜厚度達到微米級別較好

    薄膜材料的襯底需選擇電阻率較大或絕緣材料為宜,如玻璃、Si等材料

    薄膜熱電參數測試系統技術(shù)原理

      動(dòng)態(tài)法:測量Seebeck系數

      在待測溫場(chǎng)下給樣品兩端加一個(gè)連續變化的微小溫差,通過(guò)記錄樣品兩端溫差和熱電勢的變化,然后將溫差和熱電勢擬合成一條直線(xiàn),直線(xiàn)斜率即為該材料在該溫場(chǎng)下的Seebeck系數。

      采用四線(xiàn)法測量電阻率。

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