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    專(zhuān)門(mén)為電子束敏感樣品和需300萬(wàn)倍穩定觀(guān)察的半導體器件，高分辨成像所設計。新的電子槍和電子光學(xué)設計提高了低加速電壓性能。采用全新設計的Super E x B能量過(guò)濾技術(shù)，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。0.4 nm / 30 kV (SE)1.2 nm / 1 kV (SE)0.34 nm / 30 kV (STEM)

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    專(zhuān)門(mén)為電子束敏感樣品和需300萬(wàn)倍穩定觀(guān)察的半導體器件，高分辨成像所設計。


    • 新的電子槍和電子光學(xué)設計提高了低加速電壓性能。


    • 采用全新設計的Super E x B能量過(guò)濾技術(shù)，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。

    • 0.4 nm / 30 kV (SE)
      1.2 nm / 1 kV (SE)
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