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    捷歐路JEOL JSM-7200F 熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡

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    捷歐路JEOL JSM-7200F 熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡應用了日本電子旗艦機-JSM-7800F Prime采用的浸沒(méi)式肖特基電子槍技術(shù)，標配TTLS系統（Through-The-Lens System），無(wú)論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統機型有了很大的提升。此外，保證300nA的束流，能兼顧...

    詳細介紹

    捷歐路JEOL JSM-7200F 熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡應用了日本電子旗艦機-JSM-7800F Prime采用的浸沒(méi)式肖特基電子槍技術(shù)，標配TTLS系統（Through-The-Lens System），無(wú)論是在高/低加速電壓下，空間分辨率都比傳統機型有了很大的提升。此外，保證300nA的束流，能兼顧高分辨率觀(guān)察和高通量分析，具有充實(shí)的自動(dòng)功能和易用性，是新一代的多功能場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡。
    捷歐路JEOL JSM-7200F 熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡主要特點(diǎn)有：應用了浸沒(méi)式肖特基電子槍技術(shù)的電子光學(xué)系統；利用GB（Gentle Beam 模式）和各種檢測器在低加速電壓下能進(jìn)行高分辨觀(guān)察和選擇信號的TTLS系統（Through-The-Lens System）；電磁場(chǎng)疊加的混合式物鏡。
    捷歐路JEOL JSM-7200F 熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡的浸沒(méi)式肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍為日本電子的技術(shù)，通過(guò)對電子槍和低像差聚光鏡進(jìn)行優(yōu)化，能有效利用從電子槍中發(fā)射的電子，即使電子束流很大也能獲得很細的束斑。因而可以實(shí)現高通量分析（EDS、WDS面分析、EBSD分析等）。TTLS（through-the-lens系統）是利用GB(Gentle Beam 模式）在低加速電壓下能進(jìn)行高分辨率觀(guān)察和信號選擇的系統。 利用GB（Gentle Beam 模式）通過(guò)給樣品加以偏壓，對入射電子有減速、對樣品中發(fā)射出的電子有加速作用，即使在低加速電壓（入射電壓）下，也能獲得信噪比良好的高分辨率圖像。 
    此外，利用安裝在TTLS的能量過(guò)濾器過(guò)濾電壓，可以調節二次電子的檢測量。這樣在極低加速電壓的條件下，用高位檢測器（UED）就可以只獲取來(lái)自樣品淺表面的大角度背散射電子。因過(guò)濾電壓用UED沒(méi)有檢測出的低能量電子，可以用高位二次電子檢測器（USD，選配件）檢測出來(lái)，因此JSM-7200F能同時(shí)獲取二次電子像和背散射電子像。
    捷歐路JEOL JSM-7200F 熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡的物鏡采用了本公司新開(kāi)發(fā)的混合式透鏡。 
    這種混合式透鏡是組合了磁透鏡和靜電透鏡的電磁場(chǎng)疊加型物鏡，比傳統的out-lens像差小，能獲得更高的空間分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性，所以可以觀(guān)察和分析磁性材料樣品。
    分辨率 JSM-7200F
         		 JSM-7200FLV
     
    1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV) 1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV)，1.8nm (30kV,  LV )
    放大倍率 ×10～×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30～×3,000,000(1280 x 960pixels display);
    加速電壓 0.01kV～30kV
    束流   1pA～300nA
    自動(dòng)光闌角控制透鏡ACL 內置
    大景深模式 內置
    檢測器 高位檢測器(UED)、低位檢測器(LED)
    樣品臺 5軸馬達驅動(dòng)樣品臺
    樣品移動(dòng)范圍 X：70mm  Y：50mm  Z：2mm～41mm 傾斜－5～＋70°  旋轉360°
    低真空范圍 - 10pa～300pa
     

     


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