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聯(lián)系我時(shí)，請告知來(lái)自 紡織服裝機械網(wǎng)PE-CVD解決方案與典型CVD反應器相比，等離子體增強型化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)提供了一種可使用更低溫度沉積各種薄膜的有效替代方案，同時(shí)不會(huì )降低薄膜質(zhì)量。高質(zhì)量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉積，而CVD需要650℃至850℃的溫度生產(chǎn)類(lèi)似質(zhì)量的鍍膜。PE-CVD使用電能產(chǎn)生輝光放電(等離子體)，其中能量轉移到氣體混合物中。
PE-CVD解決方案
與典型CVD反應器相比，等離子體增強型化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)提供了一種可使用更低溫度沉積各種薄膜的有效替代方案，同時(shí)不會(huì )降低薄膜質(zhì)量。高質(zhì)量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉積，而CVD需要650℃至850℃的溫度生產(chǎn)類(lèi)似質(zhì)量的鍍膜。
PE-CVD使用電能產(chǎn)生輝光放電(等離子體)，其中能量轉移到氣體混合物中。這將氣體混合物轉化成反應性自由基、離子、中性原子和分子，以及其他高活性物質(zhì)。在PE-CVD中，氣相和表面反應受到等離子體性質(zhì)的強烈控制。代替熱活化，氣體混合物的電子碰撞電離驅動(dòng)氣相反應，能夠在比常規CVD工藝低得多的溫度下進(jìn)行沉積。 對于PE-CVD，沉積速率通常不是基片溫度的強函數，表面活化能通常很小。然而，薄膜性質(zhì)，例如，組成、應力和形態(tài)，通常是基片溫度的強函數。
等離子體增強CVD的優(yōu)點(diǎn)
PE-CVD鍍膜的一些理想性能包括，良好的粘附性、低針孔密度、良好的保形性，以及平面和三維表面上的均勻性。 PE-CVD的實(shí)用性和靈活性在于，其能夠在從硅片到汽車(chē)部件的各種基材上沉積高質(zhì)量的鍍膜。此外，等離子體增強CVD系統比常規CVD提供更低的擁有成本。
丹頓真空公司專(zhuān)門(mén)從事等離子增強CVD (PE-CVD)，沉積類(lèi)金剛石(DLC)鍍膜。DLC鍍膜是一類(lèi)無(wú)定形碳膜，表現出與金剛石相似的性能，例如，硬度、抗刮擦性和高導熱性。此外，DLC鍍膜由于其生物相容性、紅外透明性和電絕緣性能，在商業(yè)方面價(jià)值。丹頓公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)專(zhuān)有的能力，擴展DLC的特性范圍，包括抗指紋和疏水性。
我們的 Voyager PE-CVD解決方案提供低溫濺射，具有高度均勻性
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