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    美國Laurell濕法刻蝕顯影機 EDC-650Mz-8NPP

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    勻膠顯影機(英文名:Developing) 產(chǎn)地:美國一、產(chǎn)品概述: 650型勻膠顯影機適應于半導體、化工材料、硅片、晶片、基片、導電玻璃等工藝,制版的表面顯影。

    詳細介紹

    勻膠顯影機(英文名:Developing)
    產(chǎn)地:美國

    美國Laurell濕法刻蝕顯影機 EDC-650Mz-8NPP(圖1)

    一、產(chǎn)品概述:
       650型勻膠顯影機適應于半導體、化工材料、硅片、晶片、基片、導電玻璃等工藝,制版的表面顯影。一般勻膠顯影機由動(dòng)力系統、顯影液槽及噴液管、水洗槽、擠壓 (水)輥、涂膠槽等部分組成。


    二、勻膠顯影機工作原理:
    顯影系統具有可編程閥,它可以使單注射器試劑滴膠按照蝕刻、顯影和清洗應用的要求重復進(jìn)行,如沖洗(通常是去離子水或溶劑),然后干燥(通常是氮氣)等最后的處理步驟。采用此序貫閥門(mén)技術(shù)的晶圓片和管道在干燥的環(huán)境中開(kāi)通和關(guān)閉處理過(guò)程。隔離和獨立的給水器可處在靜態(tài)的位置還可以蓋內調節。勻膠顯影機還有可選擇的動(dòng)態(tài)線(xiàn)性或徑向滴膠的特性。


    三、勻膠顯影機主要性能指標:    
    1、腔體尺寸:12.5英寸 (318 毫米);
    2、Wafer&芯片:直徑8英寸(200毫米)的晶圓片或者7x7英寸(175毫米)的方片;
    3、非真空托盤(pán):聚丙烯材質(zhì)非真空托盤(pán),可承載2、3英寸及200毫米的晶圓片-并帶有背面清洗功能;
    3、轉動(dòng)速度:0-12,000rpm,
    5、馬達旋涂轉速:穩定性能誤差 < ±1%;
    6、工藝時(shí)間設定:1-5999.9 sec/step 0.1 精度;
    7、高精度數碼控制器:PLC控制,設置點(diǎn)精度小于0.006%;
    8、程序控制:可存儲20個(gè)程序段,每個(gè)程序段可以設置51步不同的速度狀態(tài);
    9、分辨率:分辨率小于0.5轉/分,可重復性小于±0.5轉/分,美國國家標準技術(shù)研究院(NIST)認證過(guò)的,并且無(wú)需再校準!]
    10、腔體開(kāi)關(guān)蓋板:透明ECTFE材質(zhì)圓頂蓋板,便于實(shí)時(shí)進(jìn)行可視化操作;
    11、腔體材質(zhì)說(shuō)明:用聚丙烯材質(zhì)制成的帶有聯(lián)動(dòng)傳感觸點(diǎn)的合瓣式艙體;
    12、配套分析軟件:SPIN3000操作分析軟件;
    13、配套真空泵系統:無(wú)油型 220~240伏交流,50/60赫茲;


    四、適用工藝(包括但不限于下述濕法制程)
    光刻膠顯影(KrF/ArF)
    SU8厚膠顯影
    顯影后清洗
    PostCMP清洗
    光罩去膠清洗
    光刻膠去除
    金屬Lift-off處理
    刻蝕微刻蝕處理




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