“The Grand EPMA" 誕生 搭載場(chǎng)發(fā)射電子光學(xué)系統 將島津EPMA分析性能發(fā)揮到 從SEM觀(guān)察條件到1μA量級,在各種束流條件下都擁有空間分辨率的場(chǎng)發(fā)射電子光學(xué)系統。結合島津傳統的高性能X射線(xiàn)譜儀,將分析性能發(fā)揮至。 當之無(wú)愧的“The Grand EPMA" ,水準的EPMA誕生! | |
的空間分辨率
使用分析條件束流,引以為傲的二次電子圖像分辨率。(加速電壓10kV時(shí),20nm@10nA//50nm@100nA/150nm@1μA)。與原來(lái)的電子槍?zhuān)–eB6、鎢燈絲)的結果相比,一目了然。
由于可用更大的束流得到與原來(lái)電子槍相同分辨率的圖像,所以可進(jìn)行超高靈敏度的X射線(xiàn)分析。 更加值得注意的是,束流為1μA時(shí)的SEM圖像。能夠得到1μA以上束流,而且可以壓縮到如此細的只有EPMA-8050G。
各種電子槍產(chǎn)生電子束的特性比較(加速電壓10kV)
大束流超高靈敏度分析
場(chǎng)發(fā)射類(lèi)型的SEM、EPMA可實(shí)現其他儀器所不能達到的大束流(加速電壓30kV時(shí)3μA)。在超微量元素的檢測靈敏度上實(shí)現了質(zhì)的飛躍,將元素面分析時(shí)超微量元素成分分布的可視化成為現實(shí)。而且,所有束流范圍內不需要更換物鏡光闌,不用擔心合軸,實(shí)現了高度自動(dòng)化分析。
面的3個(gè)圖像為不同束流下,對不銹鋼中約1%左右Si進(jìn)行面分析的結果※。束流越大,偏差越小,越能更加清楚的確認包含Si的范圍。
※ 分析條件:加速電壓10kV,積分時(shí)間50msec。分析花費時(shí)間約1小時(shí)。
最多可同時(shí)搭載5通道高性能4英寸X射線(xiàn)譜儀
X射線(xiàn)取出角決定分析性能,52.5°更勝
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對X射線(xiàn)的吸收越少,靈敏度越高。 | 高X射線(xiàn)取出角,可降低吸收帶來(lái)的影響,可以對深孔底部、孔中異物進(jìn)行分析。 |
| 對深孔中異物的分析實(shí)例。左下為鐵(Fe)的分布,右下為鈦(Ti)的分布。通過(guò)EPMA-8050G的高取出角,即使是表面明顯凹凸不同的樣品,也可進(jìn)行高精度分析。 |
分光晶體采用全聚焦型晶體。
| 秉承島津研發(fā)經(jīng)驗的晶體加工制備工藝,保證提供高靈敏度·高分辨率兼備的分光晶體。Johanson()型分光晶體是全聚焦晶體,無(wú)像差。 |
最多可同時(shí)搭載5通道兼顧高靈敏度、高分辨率的4英寸譜儀。
| X射線(xiàn)譜儀羅蘭圓直徑是影響EPMA分析性能至關(guān)重要的因素之一。羅蘭圓半徑每增加1英寸,檢出靈敏度下降30%以上。島津EPMA可最多 |
全部分析操作簡(jiǎn)單易懂
全部操作僅需一個(gè)鼠標就可實(shí)現的可操作性、追求「易懂」的人性化用戶(hù)界面、搭載導航模式等多個(gè)新功能,將「簡(jiǎn)單易懂操作」成為現實(shí)。無(wú)論是初學(xué)者還是專(zhuān)家級用戶(hù)都可進(jìn)行得心應手的操作分析。
● 從樣品導入到生成分析報告,操作方便?!?/span>
● 即便是次使用也可輕松進(jìn)行樣品定位SEM觀(guān)察。
● 的可操控性,大大提高分析準備工作的效率。
● 視覺(jué)上追求「易懂」的人性化用戶(hù)界面。
● 搭載導航模式,自動(dòng)指引直至生成分析報告。