PHI VersaProbe III是的掃描 X射線(xiàn)單色化的 XPS設備，具有**的大面積和微區分析能力。其設計需求是為快速地，空間分辨分析固體表面的元素和化學(xué)態(tài)組成。PHI VersaProbe III 結合的掃描單色化 X 射線(xiàn)和自動(dòng)化樣品控制以及分析區域識別系統，可在自動(dòng)化環(huán)境下實(shí)現化學(xué)態(tài)成像和多點(diǎn)圖譜分析功能。
技術(shù)的聚焦掃描型X射線(xiàn)束用于樣品成像和分析，一個(gè)帶有多通道探測器的半球形能量分析器，一個(gè)高性能低能氬濺射離子*，一個(gè)和技術(shù)的電荷補償系統和一個(gè)大型五軸精密樣品臺。
為多種技術(shù)系統配置設計的。所有激發(fā)源法蘭可安裝和對準到一個(gè)共同的分析位置，掃描 X 射線(xiàn)單色器可與其他所選激發(fā)源結合以實(shí)現多種表面分析技術(shù)聯(lián)用的功能，而且帶有高真空樣品制備腔室和樣品傳送桿，VersaProbe III 可支持***的研究項目。
提供可選配的的 Ar 氣團簇離子束（GCIB）和 C60 濺射離子*用于有機和無(wú)機材料的表面清潔和薄膜深度剖析。
使用 X射線(xiàn)光電子能譜儀(XPS) 能夠詳細地分析元素和化學(xué)態(tài)，通常也被稱(chēng)為電子能譜化學(xué)分析儀（ESCA）。其一系列的功能提供了的高性能 XPS 薄膜分析（深度剖析）能力。系統的設計可自動(dòng)分析不同類(lèi)型的樣品而無(wú)需更改儀器設置或參數設定。
基于一個(gè)超高真空分析腔室以保護樣品不受污染，可以對材料表面、 薄膜結構和表面污染進(jìn)行清晰準確的元素和化學(xué)態(tài)表征。
分析腔室由480 l/s 差分離子泵和鈦升華泵 (TSP)抽真空。而系統的預抽氣、 進(jìn)樣腔室抽氣和對濺射離子*的差分抽氣均由 67 l/s 的分子渦輪泵完成。由于該系統固有的真空清潔度，對于分析所有類(lèi)型的樣品，碳氫化合物和其他污染都被降低到*小水平。
PHI VersaProbe III 的系統控制和數據處理都是通過(guò)一臺**PC完成，其基于Windows ® 操作系統和安裝了**軟件。
性能特點(diǎn)
的X射線(xiàn)源
PHI VersaProbe III 是由的高通量的X 射線(xiàn)源產(chǎn)生聚焦單色化的X射線(xiàn)束，可以在樣品表面掃描。
的SXI ™掃描 X 射線(xiàn)成像
PHI VersaProbe III 可對樣品表面采集 X射線(xiàn)激發(fā)的二次電子像，類(lèi)似于掃描電鏡采集的二次電子像?？捎肧XI 圖像選取分析領(lǐng)域，以保證采集到的圖譜即是所感興趣的圖像區域。通常1 到 5 秒即可采集一張SXI 圖像。
名副其實(shí)的 X 射線(xiàn)光電子能譜
高分辨率 180 ° 半球形能量分析器提供功能**的 XPS 分析能力包括 XPS全譜掃描、面分布、深度剖析、線(xiàn)掃描和角分辨分析。
高性能，低能量氬氣離子*
在高能量或低能量的離子作用下，氬氣離子*可對樣品表面進(jìn)行清潔，以及進(jìn)行 XPS 化學(xué)深度剖析。這個(gè)的功能使其可進(jìn)行單分子層深度分辨率的濺射深度剖析。
與聚焦X射線(xiàn)束相應，這種離子*在濺射時(shí)可對樣品進(jìn)行小范圍區域濺射，與傳統的XPS系統相比可提高濺射速率。
的電荷中和/補償能力
PHI VersaProbe III 配有一套的PHI 技術(shù)的雙束電荷中和/補償系統，其利用冷陰極電子流和氬離子濺射*產(chǎn)生的極低能離子可以對所有類(lèi)型的樣品進(jìn)行荷電中和。
完備靈活的五軸樣品臺
五軸軟件驅動(dòng)的樣品臺可提供一個(gè)穩定的具有高度準確性和重復性的分析平臺。X 和 Y ± 25mm的移動(dòng)范圍可探測到水平 50mm的樣品表面而無(wú)需旋轉。
常中心旋轉的功能用于定位微區樣品特征以進(jìn)行離子刻蝕和分析。
20mm的 Z 軸移動(dòng)范圍使樣品操作靈活。
0o 到 90o 的傾斜軸范圍可實(shí)現角分辨XPS 測量（帶有型號 279HCA 的樣品裝載）。
提供多種樣品放置類(lèi)型：
型號 190HC – 2 個(gè)：直徑25.4 mm (1 inch.)，不銹鋼樣品托可放置直徑達25.4 mm的樣品。
型號 191HC – 2 個(gè)：直徑25.4 mm (1 inch)，不銹鋼樣品托，有凹槽適宜放置粉狀或塊狀樣品。凹槽大小為 10 x 20 x 5 mm （0.4 x 0.8 x 0.2 inches）。
冷/熱樣品臺選項
根據研發(fā)的需要，PHI VersaProbe III多功能的技術(shù)平臺可選項配備：
10keV的C60離子*
雙陽(yáng)極，非單色X射線(xiàn)源
紫外線(xiàn)光源
95毫米的樣品處理
熱/冷樣品處理
可選的AES電子*
真空轉移平臺 (Vacuum Transfer Vessel)
應用領(lǐng)域
Micro-Electronics 微電子, 電子封裝
Polymer 高份子材料
Tribology 摩擦學(xué)
Magnetic 磁性材料, 硬盤(pán), 藍光光盤(pán)
Display Industries 顯示工業(yè)
Graphene 石墨稀
Catalysis 催化劑
Energy related 能源產(chǎn)業(yè)
Glass 玻璃
Metal 金屬
Ceramic 陶瓷
Semi-conductors 半導體
Bio-Medical 生醫科學(xué)
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