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    上海禹重實(shí)業(yè)有限公司


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    PHI 710 AES 掃描俄歇納米探針

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    產(chǎn)品簡(jiǎn)介

    PHI的710納米探針俄歇掃描 提供高性能的俄歇（AES）頻譜分析，俄歇成像和濺射深度分析的復合材料包括：納米材料，催化劑，金屬和電子設備。維持基于PHI CMA的**俄歇儀器性能，和響應了用戶(hù)所要求以提高二次電子（SE）成像性能和高能量分辨率光譜。PHI的同軸鏡分析儀（CMA）提供了同軸分析儀和電子*的幾何實(shí)現高靈敏度多角度**收集，以便完成三維結構圖，在納米級技術(shù)的發(fā)展這是*基礎的?？偫▉?lái)說(shuō)，700Xi以*的俄歇納米探針從****的俄歇表面分析儀器，提供了實(shí)用和成熟的技術(shù)，以滿(mǎn)足納米尺度所需要的**實(shí)驗與研發(fā)的用途。

    詳細介紹

    俄歇電子能譜儀（Auger Electron Spectrometer, AES）為微電子業(yè)常見(jiàn)的表面分析技術(shù)之一。原理是利用一電子束為激發(fā)源，使表面原子之內層能階的電子游離出，原電子位置則會(huì )產(chǎn)生電洞，導致能量不穩定，此時(shí)外層電子會(huì )產(chǎn)生之電洞，進(jìn)而釋放能量傳遞至外層能階電子，造成接受能量的電子被激發(fā)游離，游離的電子即為Auger電子。因其具有特定的動(dòng)能，所以能依據動(dòng)能的不同來(lái)判定材料表面的元素種類(lèi)。

    PHI的710納米探針俄歇掃描 提供高性能的俄歇（AES）頻譜分析，俄歇成像和濺射深度分析的復合材料包括：納米材料，催化劑，金屬和電子設備。維持基于PHI CMA的**俄歇儀器性能，和響應了用戶(hù)所要求以提高二次電子（SE）成像性能和高能量分辨率光譜。PHI的同軸鏡分析儀（CMA）提供了同軸分析儀和電子*的幾何實(shí)現高靈敏度多角度**收集，以便完成三維結構圖，在納米級技術(shù)的發(fā)展這是*基礎的。為了提高SE成像性能，閃爍探測器（Scintillator）已被添加以提高圖像質(zhì)量，另再加上數碼按鈕的用戶(hù)界面再一次的提高了易用性。在不用修改CMA和仍維持俄歇在納米分析的優(yōu)勢下，再添加了高能量分辨率光譜模式，使化學(xué)態(tài)分析的可能再**的提高?？偫▉?lái)說(shuō)，700Xi以*的俄歇納米探針從****的俄歇表面分析儀器，提供了實(shí)用和成熟的技術(shù)，以滿(mǎn)足納米尺度所需要的**實(shí)驗與研發(fā)的用途。

    性能特點(diǎn)

    同軸電子*和分析幾何和高級的俄歇靈敏度：710的場(chǎng)發(fā)射電子源提供了一個(gè)高亮度而直徑小于6 nm的電子束以產(chǎn)生二次電子成像。710的同軸幾何使用了“同軸式分析器（CMA）"，促使高靈敏度俄歇通過(guò)**角度收集進(jìn)行分析，即使樣品是表面平滑或復雜的形狀或高表面粗糙度，都可以確保迅速完成所有分析程序。
    高穩定性成像平臺：隔聲外殼與振動(dòng)隔離器提供更穩定的成像和分析。隔聲外殼從真空控制面板降低頻率范圍從30赫茲到5K赫茲左右的20 dB的聲壓等級（SPL），穩定的溫度大約降低系統造成SEM圖像漂移。新的振動(dòng)隔離器也減少了地面振動(dòng)對掃描電鏡圖像和小面積分析的影響。
    增強的SE圖像用戶(hù)界面：PHI710增強SE成像性能，閃爍器檢測器（Scintillator）已被添加在儀器上從而提高圖像質(zhì)量，加上數碼按鈕的用戶(hù)界面更再次提高了使用的方便性。
    新的高分辨率光譜模式：隨著(zhù)PHI的新技術(shù)，能量分辨率可調從0.5%到0.05%。多種化學(xué)物質(zhì)的狀態(tài)可以更容易有效的被觀(guān)察出來(lái)。
    PHI SmartSoft-AES用戶(hù)界面：PHI SmartSoft是一個(gè)操作儀器上為用戶(hù)的需要而著(zhù)想的軟件界面。該軟件是任務(wù)導向型和卷標在頂部的顯示指引用戶(hù)通過(guò)引入樣品，分析點(diǎn)的定義，并設置了分析。多個(gè)位置分析可以定義和*佳范例的定位提供了一個(gè)強大的“自動(dòng)Z軸調整"的功能。在**使用的軟件設置，可讓新手能夠快速，方便地設置了測量，并在未來(lái)可以輕易的重復以往或常用的類(lèi)似測量。

    應用領(lǐng)域

    半導體組件 缺陷分析、蝕刻／清潔殘余物分析、短路問(wèn)題分析、接觸污染物分析、接口擴散現象分析、封裝問(wèn)題分析等、FIB組件分析
    顯示器組件 缺陷分析、蝕刻／清潔殘余物分析、短路問(wèn)題分析、接觸污染物分析、接口擴散現象分析等
    磁性?xún)Υ娼M件 定義層、表面元素、接口擴散分析、孔洞缺陷分析、表面污染物分析、磁頭缺陷分析、殘余物分析等
    玻璃及陶瓷材料 表面沉積物分析、清潔污染物分析、晶界分析等


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