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更新時(shí)間:2024-02-26 19:43:17瀏覽次數:193次
聯(lián)系我時(shí),請告知來(lái)自 紡織服裝機械網(wǎng)簡(jiǎn)介:公司以家的針尖技術(shù)為核心競爭力,技術(shù)源自于德國伊爾默瑙工業(yè)大學(xué),致力于主動(dòng)式針尖技術(shù)在微納米結構制備和表征方面的研發(fā),及其相關(guān)設備的產(chǎn)業(yè)化
簡(jiǎn)介:
公司以家的針尖技術(shù)為核心競爭力,技術(shù)源自于德國伊爾默瑙工業(yè)大學(xué),致力于主動(dòng)式針尖技術(shù)在微納米結構制備和表征方面的研發(fā),及其相關(guān)設備的產(chǎn)業(yè)化。
公司研制一套基于掃描針尖低能電子場(chǎng)發(fā)射的原理、采用壓阻式微納米針尖和多維納米定位與測量技術(shù)、在半導體器件材料表面制造尺寸小于5納米線(xiàn)寬結構的高性能微納加工系統。可在大氣環(huán)境下,高經(jīng)濟效益、快速直寫(xiě)5納米以下結構和制備納米級器件。該系統的閉環(huán)回路可實(shí)現使用同一掃描探針對納米結構的成像、定位、檢測和操縱。
技術(shù)特點(diǎn):
。場(chǎng)發(fā)射低能電子束
。大幅降低電子束背底散射
。幾乎消除電子束臨近效應
。光刻5納米以下單線(xiàn)寬結構
。光刻結構間距小于2納米
。接近原子級分辨的套刻精度
。線(xiàn)寫(xiě)速度高達 300 μm/s
。大氣環(huán)境下可實(shí)現正負光刻
。正光刻流程無(wú)需顯影步驟
。無(wú)需調制電子束聚光
。大范圍分步重復工藝
。Mix & Match 混合光刻模式
。針尖曝光與結構成像實(shí)時(shí)進(jìn)行
。真空原位觀(guān)測光刻圖案
功能指標:
產(chǎn)品規格:
探針掃描頭配置:
樣品臺配置:
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