蘇州上器試驗設備有限公司
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更新時(shí)間:2023-12-09 13:29:03瀏覽次數:92次
聯(lián)系我時(shí),請告知來(lái)自 紡織服裝機械網(wǎng)對于糊燒的優(yōu)化和過(guò)程控制來(lái)說(shuō)是一臺優(yōu)秀的設備。開(kāi)路方法表明了太陽(yáng)能電池前體在結形成之后的數值。
擴散后制程控制
Suns-Voc階段對于在鋁燒,再次前網(wǎng)燃燒之后測量晶片是理想的。這使得這些步驟的優(yōu)化和監測保持電壓,獲得良好的歐姆接觸,避免分流。
Suns-Voc 的強大應用
通過(guò)直接探測p和n區,或者探測金屬化層(如果存在),就能測量光-VOC曲線(xiàn)。此曲線(xiàn)可以顯示為我們的太陽(yáng)VOC圖或以標準的光伏曲線(xiàn)的形式,光伏曲線(xiàn)可以用來(lái)表示分流的特征。整個(gè)曲線(xiàn)在開(kāi)路狀態(tài)下測量,不受串聯(lián)電阻的影響。
Suns-Voc系統特性
非常適用于漿料燒結優(yōu)化和過(guò)程控制。開(kāi)路的方法指出了太陽(yáng)能電池PN結形成后的上限值。
?硅片臺溫度控制在25℃
?細點(diǎn)電壓探頭
?磁探針兼容性、氙燈與中性密度過(guò)濾器
?可微調強度范圍的高度可調后柱
?顯示標準的I-V曲線(xiàn)格式和Suns-VOC曲線(xiàn)
?測量不受串聯(lián)電阻的影響的理想晶片特性
項目 | 內容 |
---|---|
每次測試報告的參數 | 開(kāi)路下的暗IV曲線(xiàn):材料對效率的限制 擬合效率 擬合填充因子 雙二極管分析 漏電分析 |
典型的經(jīng)過(guò)校準的光照范圍 | 0.006-6suns |
硅片尺寸,標準配置 | 上限230mm直徑/邊沿 |
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