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    行業(yè)產(chǎn)品

    • 行業(yè)產(chǎn)品

    深圳市長(cháng)豐檢測設備有限公司


    RPS晶圓干法去膠機

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    參  考  價(jià)面議
    具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準

    產(chǎn)品型號

    品       牌

    廠(chǎng)商性質(zhì)其他

    所  在  地深圳市

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    更新時(shí)間：2024-05-08 10:40:40瀏覽次數：132次

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    產(chǎn)品簡(jiǎn)介

    一、常規參數1.安裝尺寸：1300*2300*2000mm（寬*長(cháng)*高）2.設備參數配置：三相電壓380V，50/60Hz，總電流不超過(guò)50A;3.設備部署環(huán)境：萬(wàn)級淨化間,溫度21~23℃，相對濕度45±5%

    詳細介紹

    一、常規參數

    1.安裝尺寸：1300*2300*2000mm（寬*長(cháng)*高）

    2.設備參數配置：三相電壓380V，50/60Hz，總電流不超過(guò)50A;

    3.設備部署環(huán)境：萬(wàn)級淨化間, 溫度21~23℃，相對濕度45±5%；

    4. MTTR/平均故障修復時(shí)間＜4小時(shí)，MTBF/平均時(shí)間＞250小時(shí),

    Uptime/正常運行時(shí)間≥92% .

    5. Wafer Breakage/碎片率≤1/10000PCs

    6.Descum WPH/descum 產(chǎn)能≥90wafers（基於20秒descum工藝時(shí)間程式）

    7.base pressure/腔體底壓≤20mTorr；leakage check腔體漏率≤10mtorr/min

    8.Partical/顆粒度 :＜30ea@0.2um  腔體單次傳片大於0.2um的顆粒增加量小於20顆

    9.支持SECS/GEM通訊協(xié)議

    二、技術(shù)規格

    2.1設備規格

    主機部分

    No.

    Item/專(zhuān)案

    Specification/規格說(shuō)明

    1

    Plasma Source

     

    RPS Plasma Source/微波等離子源,1000W, 2.45GHz

    RF bias（底部射頻偏壓） 600W，13.56MHz

    2

    Process Chamber

    工作臺chuck溫度範圍: 20~50℃;

    可選chuck控溫：50~250℃

    水冷機控溫

    適合wafer尺寸: 200mm wafer

    腔體數量: 2個(gè) Al 6061 腔體

    腔體自動(dòng)門(mén)：中國臺灣AdvanTorr

    3

    Gas Supply System

    單個(gè)腔體工藝氣路：3路

    MFC品牌：MKS

    腔體氣路: O2/N2/Ar，CF4為選配氣體

    4

    Vacuum System

    幹泵: 愛(ài)德華

    壓力控制: Throttle valve 蝶閥 中國臺灣HTC

    真空計:Inficon Vacuum Gauge

    5

    Auto Wafer Transfer  System

    上料臺：2 cassette 上料臺，適合 8 inch wafers；

    Cassette wafer mapping：晶圓擺放檢測

    VAC Robot； 日本JEL

    6

    Control System

    PC：工業(yè)電腦 Windows系統控制；

    操作軟體: 介面友好，圖形化視圖，自動(dòng)保存log檔

    7

    Safety System

    EMO: 三個(gè)急停按鈕

    Interlock硬體安全互鎖: 硬體互鎖包括 Power/Temp/Vacuum



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