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    行業(yè)產(chǎn)品

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    大連通測儀器有限公司


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    SigOFIT 光隔離探頭 OIP B系列(電池供電)

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    產(chǎn)品型號

    品       牌

    廠(chǎng)商性質(zhì)其他

    所  在  地大連市

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    更新時(shí)間:2025-01-05 07:45:41瀏覽次數:26次

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    產(chǎn)品簡(jiǎn)介

    基于SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭,擁有的共模抑制比和隔離電壓,在其帶寬范圍內洞見(jiàn)信號的全部真相,是判定其他 電壓探頭所測信號真實(shí)性的裁判。此外,SigOFIT光隔離探頭采用的激光供電技術(shù),解決了隔離供電的問(wèn)題。

    詳細介紹

    產(chǎn)品特點(diǎn)


    SigOFIT 光隔離探頭洞見(jiàn)信號的全部真相

    帶寬:DC-1GHz

    共模電壓: 85kVpk

    直流增益精度:1%

    共模抑制比:高達180dB


    最真實(shí)的信號呈現

    SigOFIT光隔離探頭具有的共模抑制比,在100MHz時(shí)CMRR高達128dB、在500MHz時(shí)CMRR仍然高達114dB,是判定其他電壓探頭所測信號真實(shí)性的裁判



    的測試精度與穩定性

    作為判定其他電壓探頭所測信號真實(shí)性的裁判,測試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標。SigOFIT光隔離探頭,具有的幅頻特性,直流增益精度優(yōu)于1%,底噪小于1.46mVrms,預熱后零點(diǎn)漂移小于500μV。




    第三代半導體的測試手段

    第三代半導體器件由于導通與關(guān)斷時(shí)間很短,信號具有更快的上升沿和下降沿,信號中具有很高能量的高頻諧波,SigOFIT光隔離探頭在帶寬時(shí),仍然具有超100dB的共模抑制比,可以近乎地抑制高頻共模噪聲所產(chǎn)生的震蕩,所呈現的信號沒(méi)有額外多余成分,是第三代半導體測試的。


    測試氮化鎵(GaN)不炸管

    SigOFIT光隔離探頭測試引線(xiàn)短且采用同軸傳輸,探頭輸入電容最小僅1pF,測試氮化鎵(GaN)十分安全。


    使用靈活,高效便捷

    SigOFIT光隔離探頭比傳統高壓差分探頭體積更小,探頭引線(xiàn)更精巧,使用更加靈活方便;探頭響應快,上電即測,校準時(shí)間小于1秒,可實(shí)時(shí)保證精確的信號輸出。


    測試量程更寬

    不同于高壓差分探頭只可以測試高壓信號,SigOFIT光隔離探頭通過(guò)匹配不同的衰減器,可以測試±0.01V至±6250V的差模信號,并實(shí)現滿(mǎn)量程輸出,達到很高的信噪比。


    應用場(chǎng)景:

    對其他電壓探頭所測結果準確性、真實(shí)性存在質(zhì)疑時(shí),SigOFIT 光隔離探頭可作為最終裁判依據。

    ● 電源設備評估、電流并聯(lián)測量、EMI 和 ESD 故障排除

    ● 電機驅動(dòng)設計、功率轉換器設計 、電子鎮流器設計

    ● 氮化鎵、碳化硅、IGBT 半 / 全橋設備的設計與分析

    ● 高壓高帶寬測試應用的安全隔離測試

    ● 逆變器、UPS 及開(kāi)關(guān)電源的測試

    ● 寬電壓、寬帶測試應用

    ● 各種浮地測試


    產(chǎn)品參數表

    *注:購買(mǎi)光隔離探頭OIP B系列(電池供電),請仔細閱讀用戶(hù)手冊。探頭開(kāi)機狀態(tài)下或連接被測電路時(shí),嚴禁對探頭進(jìn)行充電,否則會(huì )導致探頭損壞或危及人身安全。


    推薦您購買(mǎi)光隔離探頭MOIP系列(激光供電) ,采用激光供電隔離技術(shù),性能更優(yōu)。



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