北京天?？瓶萍及l(fā)展有限公司
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北京天?？瓶萍及l(fā)展有限公司
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廠(chǎng)商性質(zhì)其他
所 在 地北京市
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經(jīng)營(yíng)模式：其他
商鋪產(chǎn)品：27條
所在地區：
聯(lián)系人：張經(jīng)理,張經(jīng)理,李經(jīng)理
環(huán)境溫度：5—+40oC；環(huán)境相對濕度：80%以下；供電電源：220±22V 50±1.5Hz；不應受到劇烈震動(dòng)和機械沖擊；空氣中不應含有足以腐蝕儀器的灰塵和雜質(zhì)；不應受強的電磁場(chǎng)干擾；通風(fēng)條件良好。
SB100A型磁性薄膜磁電阻率測量?jì)x是由本公司與北京科技大學(xué)應用科學(xué)學(xué)院物理系共同構思，并由本公司設計和制作。其有SB118型精密電壓電流源，SB119型直流穩壓電源，PZ158A型直流電壓表以及SB120四探針亥姆霍茲線(xiàn)圈測試平臺四臺儀器構成?？捎糜诟咝５奈锢斫逃龑?shí)驗。
通過(guò)本測試儀可以進(jìn)一步了解磁性薄膜材料和磁電子學(xué)的一些基本概念和知識，了解目前廣泛應用的多類(lèi)磁電阻的基本概念以及用四探針?lè )▽Υ判员∧る娮韬碗娮杪蔬M(jìn)行測試及研究。由于本產(chǎn)品為組合式構思，因此為儀表的多用途以及靈活性提供了方便。
1、使用條件：
（1）環(huán)境溫度：5—+40ºC；
（2）環(huán)境相對濕度：80%以下；
（3）供電電源：220±22V50±1.5Hz；
（4）不應受到劇烈震動(dòng)和機械沖擊；
（5）空氣中不應含有足以腐蝕儀器的灰塵和雜質(zhì)；
（6）不應受強的電磁場(chǎng)干擾；
（7）通風(fēng)條件良好。
2、SB118型精密直流電壓電流源（詳見(jiàn)該產(chǎn)品使用說(shuō)明書(shū)）
（1）直流電壓源：輸出電壓范圍0~50V分20mV、200mV、2V、20V、50V五檔，每檔輸出電壓可連續調節，分辨力為1µV，基本誤差為0.1%。
（2）直流電流源：輸出電流范圍0~200mA分20µA、200µA、2mA、20mA、200mA五檔，每檔輸出電流可連續調節，分辨力為1nA，基本誤差為0.03%。
3、SB119型直流穩壓電源（詳見(jiàn)該產(chǎn)品使用說(shuō)明書(shū)）
（1）輸出電壓范圍：0-60V連續可調，基本誤差為0.1%
（2）額定負載電流為5A，為6A
4、PZ158A型數字電壓表（詳見(jiàn)該產(chǎn)品使用說(shuō)明書(shū)）
可測量0~1000V直流電壓具有200mV、2V、20V、200V、1000V五檔量程，分辨力為0.1µV，基本誤差為0.003%。
5、SB120四探針測試平臺（詳見(jiàn)該產(chǎn)品使用說(shuō)明書(shū)）
為磁性薄膜樣品，利用四探針測量方式測量其磁電阻和電阻率以及對磁電阻效應進(jìn)行研究，提供了方便。
圖中：左下為SB119；左中為SB118；左上為PZ158A；右方為SB120。
使用方法：
預熱：打開(kāi)SB118電流源、SD119穩壓電源和PZ158A電壓表的電源開(kāi)關(guān)，使儀器預熱30分鐘。
調整樣品小平臺：在實(shí)驗前應調整樣品小平臺的高低（可用軸套固定高低位置），使樣品小平臺恰在兩個(gè)亥姆霍茲線(xiàn)圈中心，以保證樣品處于均勻磁場(chǎng)中。
放置被測樣品：首先擰動(dòng)四探針支架上的銅螺柱，松開(kāi)四探針與小平臺的接觸，將樣品放置于小平臺上，然后再擰動(dòng)銅螺柱，使四探針的所有針尖同樣品薄膜有良好的接觸即可。
注意事項：
在擰動(dòng)四探針架上的銅螺柱時(shí)，用手扶住四探針架，不要讓四探針在樣品表面滑動(dòng)，以免探針的針尖滑傷薄膜。
在擰動(dòng)四探針支架上的銅螺柱時(shí)，不要擰得過(guò)緊，以免四探針的針尖嚴重刺傷樣品薄膜，只要四探針的所有針尖同樣品薄膜有良好的接觸即可。
聯(lián)機
將四探針的四個(gè)接線(xiàn)端子，分別正確地接入相應的位置，即接線(xiàn)板上最外面的端子，對應于四探針的最外面二根針，應接入SB118電流源的電流輸出孔上，而接線(xiàn)板上內側的二個(gè)端子，對應于四探針的內側的二根針應接在PZ158A電壓表的輸入孔上，再將二只相同類(lèi)型的亥姆霍茲線(xiàn)圈的引出線(xiàn)頭尾相串聯(lián)后接入SB119穩壓電源上。如下圖四探針?lè )y量鐵磁金屬薄膜電阻率的原理圖。
注意：在聯(lián)接SB118電流源前，應先將其電流輸出調節到零，在聯(lián)接SB119電壓源時(shí)也將電壓輸出調至零，PZ158A可選擇在0.2V或2V量程。
四探針測量鐵磁薄膜磁電阻原理圖
測量
使用SB118電流源部分，選擇合適的電流輸出量程，以及適當調節電流（粗調及細調），在樣品上施加一個(gè)與磁場(chǎng)平行的恒定電流，即調節SB119的輸出，使磁場(chǎng)從零慢慢增大，可以在PZ158A上測量出樣品在不同磁場(chǎng)下的電壓值，直到磁電阻不再增加（即達到飽和為止）：再將磁場(chǎng)慢慢降為零，再測量不同磁場(chǎng)下對應的電壓值。然后，可讓磁場(chǎng)反向，重復以上操作。最后還可在樣品上施加一個(gè)與磁場(chǎng)有一定角度如垂直的恒定電流，重復以上操作。
注意：
在切換電流量程時(shí)，應先將電流輸出調至近零，以免造成電流對樣品的沖擊。
在選擇電流時(shí)，對某些樣品，的電流值對應的電壓值一般不超過(guò)5mV，流過(guò)樣品薄膜的電流太大，導致樣品發(fā)熱，從而影響測量。
在某一電流值下，測量電壓時(shí)，可分別測量正反向電壓。（通過(guò)接下電流源的正向或反向按鍵來(lái)實(shí)現），再取其大小的平均值。
調換被測樣品時(shí)，一定要把SB118電流源的電流調為零
在調節SB119時(shí)，應保證磁場(chǎng)線(xiàn)圈電流調節的單調性。
計算：
根據樣品在不同電流（I）下的電壓值（V）計算出該樣品的電阻值及電阻率，例如某一種磁性薄膜樣品，在薄膜的面積為無(wú)限大或遠大于四探針中相鄰探針間距的時(shí)候，金屬薄膜的電阻率ρF可以由以下式算出。
式中：d為樣品薄膜的膜厚，I是流經(jīng)薄膜的電流即SB118輸出的電流，V是電流流過(guò)薄膜樣品時(shí)產(chǎn)生的電壓即PZ158A上顯示的電壓。
在將測量時(shí)所提供給亥姆霍茲線(xiàn)圈電流換算為相應的磁場(chǎng)數據后就可以分別將磁場(chǎng)與電流平行以及磁場(chǎng)與電流垂直時(shí)測得的電壓隨磁場(chǎng)的變化值計算出磁性薄膜樣品在不同磁場(chǎng)下的電阻及電阻率。并也可畫(huà)出各隨磁場(chǎng)變化的曲線(xiàn)。（參見(jiàn)參考資料）
擴展使用：由于本儀器采用的為組合式構思，因此每臺儀器都具有其獨立性，故可方便地使每臺儀器能實(shí)現多種用途。
例：PZ158A本身就是一臺6½位的高精度電壓表，可用于多個(gè)領(lǐng)域。SB118既可作為一臺可調的電壓源輸出，又可作為一臺可調的恒流源輸出。SB119可單獨作為一臺穩壓電源用。
成套性
隨同每臺產(chǎn)品一起供應的技術(shù)文件有：
（1）使用說(shuō)明書(shū)1份；（2）產(chǎn)品合格證1份。
2、本產(chǎn)品由以下4臺產(chǎn)品組成：
（1）SB118型精密直流電壓電流源1臺；（2）PZ158A型直流數字電壓表1臺；
（3）SB120/1四探針樣品平臺1臺；（4）SB119型直流穩壓電源1臺。
保管及使用期限
儀器應存放在環(huán)境溫度為5—40ºC，相對濕度80%以下，在空氣中不含以引起腐蝕的氣體或有害雜質(zhì)。
在用戶(hù)遵守保管、安裝、運輸和使用規則的條件下，從制造廠(chǎng)發(fā)貨日期起12個(gè)月內，產(chǎn)品因制造質(zhì)量不良而發(fā)生損壞或不能正常工作時(shí)，制造廠(chǎng)應負責免費為用戶(hù)修理產(chǎn)品或更換零件。
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