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    分子層沉積系統Molecular layer deposition MLD

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    分子層沉積系統MLD(MolecularLayerDeposition)是一種高級的有機聚合物薄膜與有機無(wú)機雜化膜制備技術(shù),可以實(shí)現每個(gè)循環(huán)沉積一個(gè)分子層,精確控制厚度,在科研和工業(yè)界有非常好的發(fā)展前景

    詳細介紹

    分子層沉積系統MLD (Molecular Layer Deposition)是一種高級的有機聚合物薄膜與有機無(wú)機雜化膜制備技術(shù),可以實(shí)現每個(gè)循環(huán)沉積一個(gè)分子層,精確控制厚度,在科研和工業(yè)界有非常好的發(fā)展前景。

    分子層沉積系統MLD相對于傳統的有機聚合物薄膜沉積工藝(旋涂,熱蒸發(fā))而言,薄膜厚度精確可控(控制循環(huán)數),厚度更均勻、階梯覆蓋率和保型性更好、重復性更可靠。


    分子層沉積系統MLD:

    通過(guò)將兩種反應氣體(或者蒸汽)以氣體脈沖形式交替地引入反應器,依靠留在基底表面的吸附分子(如羥基或氨基)進(jìn)行反應而生成薄膜。由于每次參與反應的反應物局限于化學(xué)吸附于基底表面的分子,這使得 MLD 具有自限制生長(cháng)特征。

    分子層沉積系統MLD目前可沉積的薄膜有:

     

    有機聚合物物薄膜:

    Polyimide聚酰亞胺(熱解可得到碳膜),Polyurea聚脲,Polyamide(聚酰胺(尼龍66),Polyimide–amide聚酰亞胺-酰胺,Polyurethane聚氨酯,Polythiurea聚硫脲,Polyester聚酯,聚乙二醇(PEG)等。

     

    有機無(wú)機雜化薄膜:

    Al、Ti、Zn、Fe 的有機-無(wú)機雜化膜…


    設備沉積部分薄膜均勻性數據:

    材料

    基片大小

    均勻性

    Al-EG(HQ, alucone)

    6"

    1%

    Ti-EG(HQ, Tincone)

    6"

    1%

    Zn-EG(HQ, zincone)

    6"

    1%

    聚酰胺(polyamide)

    6"

    3%

    聚酰亞胺(Polyimide)

    6"

    3%

    聚脲(polyurea)

    6"

    3%





    分子層沉積系統MLD應用領(lǐng)域:

    MLD沉積的有機聚合物薄膜、有機無(wú)機雜化薄膜、有機無(wú)機納米疊層薄膜,可以用于微電子,MEMS, 薄膜封裝、生物芯片,潤滑,耐磨,耐腐蝕,防靜電,阻燃,耐高溫 防潮,防水保護層,藥片薄膜衣等領(lǐng)域。


    MLD可實(shí)現單層、亞單層、埃級別的精準厚度控制,在分子水平上控制薄膜的形成和生長(cháng),并對形貌無(wú)特殊要求,能夠在平面、粒子、纖維、多孔以及復雜結構上沉積薄膜。


    Polyimide聚亞酰胺與Ta2O5納米疊層的介電常數與納米力學(xué)性能:

    介電常數隨Ta2O5含量增加而增加。

    薄膜的柔軟度、彈性、塑性隨Polyimide聚酰亞胺的增加而增加


    分子層沉積系統MLD沉積聚酰亞胺,熱解成炭膜


    Al2O3/TMA+EG納米疊層防水層:

    作為氣體阻擋層,比單純的氧化鋁薄膜要好,WVTR值可達0.021 g/(m2·day),而氧化鋁本身值為0.037 g/(m2·day),測試條件:85 °C,相對濕度85%。


    PEG薄膜作為防污薄膜-用于生物芯片

    MLD沉積PEG薄膜,可以提供厚度精確可控,高質(zhì)量,防污的薄膜,使生物芯片具有高的選擇性、穩定、可產(chǎn)業(yè)化。



    技術(shù)參數:


    反應器尺寸:4-8 英寸

    反應器溫度:室溫~400 oC

    前驅體源:4-6 路液/固源,2-3 路氣源

     

    MLD可與氣相色譜、固定床/高壓反應釜聯(lián)用

    MLD 可與紅外光譜儀聯(lián)用

    以上類(lèi)型 MLD,均可配備實(shí)驗全程控制與監測系統、尾氣處理等

     


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