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    ME-L型寬光譜穆勒矩陣橢偏儀

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    1.ME-L型寬光譜穆勒矩陣橢偏儀概述ME-L是一款科研級全自動(dòng)高精度穆勒矩陣型橢偏儀，凝聚了頤光科研團隊在橢偏技術(shù)多年的投入，其采用行業(yè)的創(chuàng )新技術(shù)，包括消色差補償器、雙旋轉補償器同步控制、穆勒矩陣數據分析等

    詳細介紹

    1. ME-L型寬光譜穆勒矩陣橢偏儀

     
     
    概述

    ME-L 是一款科研級全自動(dòng)高精度穆勒矩陣型橢偏儀，凝聚了頤光科研團隊在橢偏技術(shù)多年的投入，其采用行業(yè)的創(chuàng )新技術(shù)，包括消色差補償器、雙旋轉補償器同步控制、穆勒矩陣數據分析等?？蓱糜诟鞣N各向同性/異性薄膜材料膜厚、光學(xué)納米光柵常數以及一維/二維納米光柵材料結構的表征分析。
     
    雙旋轉補償器(DRC)配置一次測量全部穆勒矩陣16個(gè)元素；
    配置自動(dòng)變角器、五維樣件控制平臺等優(yōu)質(zhì)硬件模塊；
    軟件交互式界面配合輔助向導式設計，易上手、操作便捷；
    豐富的數據庫和幾何結構模型庫，保證強大數據分析能力。
     
    一、產(chǎn)品特點(diǎn)
    1、采用氘燈和鹵素燈復合光源，光譜覆蓋紫外到近紅外范圍 (193-2500nm)；



    2、可實(shí)現穆勒矩陣數據處理，測量信息量更大，測量速度快、數據更加精準；



    3、基于雙旋轉補償器配置，可一次測量獲得全部穆勒矩陣的16個(gè)元素，相對傳統光譜橢偏儀可獲取更加豐富全面的測量信息；



    4、頤光技術(shù)確保在寬光譜范圍內，提供優(yōu)質(zhì)穩定的各波段光譜；





    5、數百種材料數據庫、多種算法模型庫，涵蓋了目前絕大部分的光電材料；



    6、集成對納米光柵的分析，可同時(shí)測量分析納米結構周期、線(xiàn)寬、線(xiàn)高、側壁角、粗糙度等幾何形貌信息；




    二、產(chǎn)品應用
    半導體薄膜結構：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等；
    半導體周期性納米結構：納米光柵，套刻誤差，T型相變存儲器等；
    新材料，新物理現象研究：材料光學(xué)各向異性，電光效應、彈光效應、聲光效應、磁光效應、旋光效應、Kerr效應、Farady效應等；
    平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
    光伏太陽(yáng)能：光伏材料（如Si3N4、Sb2Se3、Sb2S3、CdS等）反射率，消光系數測量，膜層厚度及表面粗糙度測量等；
    功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類(lèi)、Al2O3表面鍍層和處理等；
    生物和化學(xué)工程：有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理等；
    塊狀材料分析：固體（金屬、半導體、介質(zhì)等）或液體（純凈物或混合物）的折射率n和消光系數k表征，玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。
    建議配件
    溫控臺 Mapping擴展模塊 真空泵 透射吸附組件

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