蔡司 GeminiSEM 系列產(chǎn)品具有出色的探測效率，能夠輕松地實(shí)現亞納米分辨成像。無(wú)論是在高真空還是在可變壓力模式下，更高的表面細節信息靈敏度讓您在對任意樣品進(jìn)行成像和分析時(shí)都具備更佳的靈活性，為您在材料科學(xué)研究、生命科學(xué)研究、工業(yè)實(shí)驗室或是顯微成像平臺中獲取各種類(lèi)型樣品在微觀(guān)世界中清晰、真實(shí)的圖像，提供靈活、可靠的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)和方案。
■ 特 點(diǎn)：
GeminiSEM 500 具有出色的分辨率，在較低的加速電壓下仍可呈現給您更強的信號和更豐富的細節信息，其創(chuàng )新設計的NanoVP可變壓力模式，甚至讓您在使用時(shí)擁有在高真空模式下工作的感覺(jué)；
GeminiSEM 450 具有出色的易用性設計、更快的響應和更高的表面靈敏度，使其能快速、靈活、可靠地對樣品進(jìn)行表面成像和分析，充當您的得力助手；
GeminiSEM 300 具有出色的分辨率、更高的襯度和更大且無(wú)畸變的成像視野，可方便地選取適合樣品的真空度等環(huán)境參數，使FESEM初學(xué)者也能快速掌握；
- GeminiSEM 500 為您呈現任意樣品表面更強的信號和更豐富的細節信息，尤其在低的加速電壓下，在避免樣品損傷的同時(shí)快速地獲取更高清晰度的圖像。
經(jīng)優(yōu)化和增強的Inlens探測器可高效地采集信號，助您快速地獲取清晰的圖像，并使樣品損傷降至更低；
在低電壓下?lián)碛懈叩男旁氡群透叩囊r度，二次電子圖像分辨率1 kV達0.9nm，500 V達1.0 nm，無(wú)需樣品臺減速即可進(jìn)行高質(zhì)量的低電壓成像，為您呈現任意樣品在納米尺度上更豐富的細節信息；
應用樣品臺減速技術(shù)-（Tandem decel），可在1 kV下獲得高達0.8nm二次電子圖像分辨率；
創(chuàng )新設計的可變壓力模式-NanoVP技術(shù)，讓您擁有身處在高真空模式下工作的感覺(jué)。
- GeminiSEM 450 更快的響應和更高的表面靈敏度使其能快速、靈活、可靠地對樣品進(jìn)行表面成像和分析，簡(jiǎn)便、快速地進(jìn)行EDS能譜和EBSD等分析，同時(shí)保持出色的空間分辨率，充當您的得力助手。
在EDS能譜和EBSD分析模式下仍保持高分辨率的成像，在低電壓條件下工作時(shí)更為優(yōu)異；
可快速地對樣品進(jìn)行大范圍及高質(zhì)量成像；
經(jīng)優(yōu)化的電子光學(xué)鏡筒，減少了工作過(guò)程中進(jìn)行重新校準的復雜流程，節省成像時(shí)間，提高工作效率；
無(wú)論是不導電樣品、磁性樣品或是其他類(lèi)型的樣品，無(wú)論是高真空或是可變壓力模式，均可實(shí)現快速和高質(zhì)量的成像和分析；
- GeminiSEM 300 將讓您體驗到在更高的分辨率和更佳的襯度下進(jìn)行極大視野范圍成像的樂(lè )趣，并且在高真空或是可變壓力模式下都可以實(shí)現。
得益于高效的信號采集系統和優(yōu)異的分辨率性能，可實(shí)現快速、高質(zhì)量、無(wú)畸變的大范圍成像；
創(chuàng )新設計的高分辨率電子槍模式，為對磁性樣品、不導電樣品以及電子束敏感樣品的低電壓成像量身訂制解決方案；
蔡司獨樹(shù)一幟的鏡筒內能量選擇背散射探測器，在低電壓下也可輕松地獲得高質(zhì)量的樣品材料襯度圖像；
NanoVP技術(shù)讓您可以使用鏡筒內Inlens二次電子探測器對要求苛刻的不導電樣品進(jìn)行高靈敏度、高分辨成像。
■ 參 數：
基本規格 | 蔡司 GeminiSEM 500 | 蔡司 GeminiSEM 450 | 蔡司 GeminiSEM 300 |
熱場(chǎng)發(fā)射電子槍?zhuān)€定性?xún)?yōu)于0.2 %/h |
加速電壓 | 0.02 - 30 kV |
探針電流 | 3 pA - 20 nA | 3 pA - 40 nA | 3 pA - 20 nA |
（100 nA配置可選） | （100 nA或300 nA配置可選） | （100 nA配置可選） |
存儲分辨率 | 達32k × 24k 像素 |
放大倍率 | 50 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 | 12 – 2,000,000 |
標配探測器 | 鏡筒內Inlens二次電子探測器 |
樣品室內的Everhart Thornley二次電子探測器 |
可選配的 項目 | 鏡筒內能量選擇背散射探測器 |
- | 角度選擇背散射探測器 | 角度選擇背散射探測器 |
環(huán)形STEM探測器（aSTEM 4） |
EDS能譜儀 |
EBSD探測器(背散射電子衍射) |
NanoVP可變壓力模式 |
高效VPSE探測器（包含在NanoVP可變壓力選件中） |
局部電荷中和器 |
可訂制特殊功能樣品臺 |
環(huán)形背散射電子探測器 |
陰極射線(xiàn)熒光探測器 |
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