儀器簡(jiǎn)介：
Spectra Thick, K-MAC公司的薄膜厚度測量系統，采用的是光學(xué)技術(shù)方法。在薄膜的表面利用反射光和在下部的界面反射的光之間的干涉現象或是利用光的相位差來(lái)決定薄膜的性質(zhì)。這樣我們不但可以測量薄膜厚度還可測量光學(xué)常數。如果是透明薄膜且可維持光的干涉性，用ST系列可測量任何樣品。通過(guò)數學(xué)計算多層薄膜的每個(gè)層的厚度都可測量。由于采用的是用戶(hù)友好界面，操作十分簡(jiǎn)單。樣品不會(huì )受到損害，并可快速測量從?到數十?的大范圍厚度。
技術(shù)參數：
測量方法： 非接觸式
測量原理：反射計
類(lèi)型：手動(dòng)的
平臺尺寸： 4" （可選6" ）
活動(dòng)范圍：150 x 120mm(70 x 50mm 移動(dòng)距離)
測量范圍 ：200?~ 35?(根據膜的類(lèi)型)
光斑尺寸：20? 典型值 （可選10?、50?）
測量速度：1~2 sec./site
物鏡轉換器：Quadruple Revolving Mechanism with Inward Tilt
照明類(lèi)型：12V 35W Tungsten-Halogen Lamp Built-in Control Device & Transformer
尺寸：190 x 265 x 316 mm
重量：12Kg
探頭類(lèi)型：三目探頭
可供選擇：標準樣品(K-MAC or KRISS or NIST)
應用領(lǐng)域：
半導體：Poly-Si, GaAs, GaN, InP, ZnS + Si, Ge, SiGe...
介質(zhì)材料：SiO2, TiO2, TaO5, ITO, ZrO2, Si3N4, Photoresist, ARC,...
平板行業(yè)：(包括 LCD, PDP, OLED, ): a-Si, n+-a-Si, Gate-SiNx MgO, AlQ3 , ITO, PR, CuPc, NPB, PVK, PAF, PEDT-PSS, Oxide, Polyimide...
光學(xué)涂層：硬度涂層、增反射薄膜、Color Filters、封裝與功能薄膜...
太陽(yáng)能電池： Doping a-Si(i-type, n-type, p-type), TCO(ZnO, SnO, ITO..)
聚合物：PVA, PET, PP, Dye, Npp, MNA, TAC, PR...
Recordable materials: Photosensitive drum, Video head, Photo masks, Optical disk
其他：示波管上的光阻薄膜材料與掩膜板、金屬薄膜、激光鏡...
主要特點(diǎn)：
測量迅速，操作簡(jiǎn)單
非接觸式，非破壞方式
優(yōu)良的重復性和再現性
用戶(hù)易操作界面
每個(gè)影像打印和數據保存功能
可測量多達3層
可背面反射
LR1-D503 LR1-D403 LR1-D323 ZPS-2000N LR1-D253 LR1-D123 LR1-D093-JRS1 T250 T170 T105 T85 ZPS-1000N T45-27A-45A Y45 2.4A-21A-JR-ON T25-JR-5-1N ZP-1000N ZP-500N ZP-200N T60-RH-18M T60-RH10E/C TH-K60-0.24-105A TH-K20-0.24-40A TH-K12-0.1-13A ZP-100N 600 ZP-50N JRS2-63/F JRS2-32/Z EPK4100 ZP-20N F6 mikrotest 6G ZP-10N Exacto F Exacto JRS2-25/Z（3UA52) PMP10 JRS2-12/Z（3UA50） JR16B-150/3 JR16B-60/3 MC-2000A JR16B-20/3 MC-2000 JR36B-150/3 KD-1 JR36B-60/3 JR36B-20/3 ZP-5N JJDZ3-33 522 Exacto FN ZP-2NMC-2000D 600BN JRX13F HHDZ46 HH54P HH53P HH52P JTX-3C JTX-2C JQX-13F-3Z JQX-13F-2Z Minitest 3100MINIT
