優(yōu)勢：
1、第二代CCD全譜光譜儀制造技術(shù)（數字化技術(shù)替代老式體積龐大笨重的光電倍增電子管模擬技術(shù)）、通道不受限制 ；
8、節電、節材、能耗只是普通光譜儀50%。
主要特點(diǎn)：
1、可測定包括痕量碳（C），磷（P）,硫（S）元素,適用于多種金屬基體，如：鐵基，鋁基，銅基，鎳基，鉻基，鈦基，鎂基，鋅基，錫基和鉛基。全譜技術(shù)覆蓋了全元素分析范圍，可根據客戶(hù)需要選擇通道元素；
2、分析速度快捷，20秒內測完所有通道的元素成分。針對不同的分析材料，通過(guò)設置預燃時(shí)間及標線(xiàn)，使儀器用短的時(shí)間達到優(yōu)的分析效果；
3、光學(xué)系統采用真空恒溫光室， 激發(fā)時(shí)產(chǎn)生的弧焰由透鏡直接導入真空光室，實(shí)現光路直通,消除了光路損耗，提高檢出限，測定結果準確，重現性及長(cháng)期穩定性；
4、特殊的光室結構設計，使真空室容積更小，抽真空速度不到普通光譜儀的一半；
5、自動(dòng)光路校準，光學(xué)系統自動(dòng)進(jìn)行譜線(xiàn)掃描，確保接收的正確性，免除繁瑣的波峰掃描工作。儀器自動(dòng)識別特定譜線(xiàn)，與原存儲線(xiàn)進(jìn)行對比，確定漂移位置，找出分析線(xiàn)當前的像素位置進(jìn)行測定；
6、開(kāi)放式的電極架設計，可以調整的樣品夾，便于各種形狀和尺寸的樣品分析；
7、工作曲線(xiàn)采用國際標樣，預做工作曲線(xiàn)，可根據需要延伸及擴展范圍，每條曲線(xiàn)由多達幾十塊標樣激發(fā)生成，自動(dòng)扣除干擾；
8、HEPS數字化固態(tài)光源，適應各種不同材料 ；
9、固態(tài)吸附阱，防止油氣對光室的污染，提高長(cháng)期運行穩定性；
10、銅火花臺底座，提高散熱性及堅固性能；
11、合理的氬氣氣路設計，使樣品激發(fā)時(shí)氬氣沖洗時(shí)間縮短，為用戶(hù)節省氬氣，氬氣消耗不到普通光譜儀的一半；
12、采用鎢材料電極，電極使用壽命更長(cháng)，并設計了電極自吹掃功能，清潔電極更加容易；
13、高性能DSP及ARM處理器，具有超高速數據采集及控制功能并自動(dòng)實(shí)時(shí)監測光室溫度、真空度、氬氣壓力、光源、激發(fā)室等模塊 的運行狀況；
14、儀器與計算機之間采用以太網(wǎng)連接，抗干擾性能好，外部計算機升級與儀器配置無(wú)關(guān)，使儀器具有更好的適用性；
15、核心器件全部，保證了儀器優(yōu)秀的品質(zhì)。
技術(shù)指標
光學(xué)系統
光學(xué)結構：帕邢-龍格結構的全譜真空型光學(xué)系統
光室溫度：自動(dòng)控制恒溫：35℃±0.5℃
波長(cháng)范圍：160-800nm
光柵焦距：350 mm
光柵刻線(xiàn)：3600 l/mm
一級光譜線(xiàn)色散率：1.2 nm/mm
探測器：多塊高性能線(xiàn)陣CCD
平均分辨率：10pm/pixel
激發(fā)臺
氣體：沖氬式
氬氣流量：激發(fā)時(shí)3-5L/min， 待機時(shí):無(wú)須待機流量
電極：鎢材噴射電極技術(shù)
吹掃：點(diǎn)擊自吹掃功能
補償：熱變形自補償設計
分析間隙：樣品臺分析間隙：4mm
激發(fā)光源
類(lèi)型：HEPS數字化固態(tài)光源
頻率：100-1000Hz
放電電流：1-80A
特殊技術(shù)：放電參數優(yōu)化設計
預燃：高能預燃技術(shù)
數據采集系統
處理器：ARM處理器，高速數據同步采集處理
接口：基于DM9000A的以太數據傳輸
電源與環(huán)境要求
輸入：220VAC 50Hz
功率：分析時(shí)700W，待機狀態(tài)40W
工作溫度：10-30℃（該溫度范圍內溫度變化不大于5℃/h）
工作濕度：20-80%
尺寸與重量
尺寸：800*450*500 mm
重量：85Kg
地址：太原市南中環(huán)200號
