簡(jiǎn)介:
單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器,單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部,遠離介質(zhì)接觸面,實(shí)現機械隔離和熱隔離,玻璃燒結一體的傳感器引線(xiàn)與金屬基體的高強度電氣絕緣,提高了電子線(xiàn)路的靈活性能與耐瞬變電壓保護的能力,可應對復雜的化學(xué)場(chǎng)合和機械負荷,同時(shí)具備較強的抗電磁力,適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力、液位或流量測量應用。
優(yōu)勢:
單晶硅技術(shù)壓力傳感器
雙膜片過(guò)載防護結構
集成電路與表面封裝技術(shù)的信號變送模塊
顯示模塊可355°旋轉
殼體外隔離磁感應三按鍵參數設置
耐瞬變電壓保護端子模塊
特征:
測量范圍: 200Pa - 10MPa
輸出信號: 4-20mA,4~20mA/HART
參考精度: ±0.2%,±0.1%,±0.075% URL
介質(zhì)溫度: -40-120℃,
測量介質(zhì):液體、氣體或蒸汽
電源: 4~20mA 二線(xiàn)制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二線(xiàn)制, 16.5-55vdc
膜片材質(zhì):316L不銹鋼,哈氏合金C
年穩定性: ±0.2% URL/5年
過(guò)程連接: M20*1.5(M), 1/2-14NPT(F), 1/4-18NPT(F)
防護等級: IP67
認證: CE認證,防爆認證