高解析度FEB測量裝置CG6300（HITACHI CD-SEM）
CG6300提供更高的解析度、測量再現性以及高畫(huà)質(zhì)
高解析度FEB測量裝置（CD-SEM）CG6300通過(guò)電子光學(xué)系統的全新設計提高了解析度，并進(jìn)一步提高了測量可重復性和圖像畫(huà)質(zhì)。
電子顯微鏡線(xiàn)圈能夠選擇從對象材料反射出的二次電子和背向散射電子，實(shí)現BEOL制程*1的Via-in-trench*2和3D-NAND、DRAM工程中的深溝槽?洞底的尺寸測量。
此外，電子束的掃描速度是前機型的兩倍，可以減小Wafer表面帶電的影響，更好的獲取高解析度圖像并能夠通過(guò)高對比度檢測Edge。
還有新設計的芯片載臺與前型號相比每小時(shí)處理晶圓數量提高20％以上從而提高生產(chǎn)力，并降低用戶(hù)的Cost of Ownership*3。另外，為了應對裝置的大規模生產(chǎn)，裝置間的機差抑制到了最小，從而實(shí)現了長(cháng)期穩定運行。
- *1
- BEOL工藝（Back End Of Line）：半導體前端工藝中的配線(xiàn)形成工藝。
- *2
- Via-in-trench：BEOL工藝中凹槽的底部設置孔的構造，洞深比高于從前。
- *3
- Cost of Ownership：設備?機器等安裝和運行管理所需的總費用。
-
特長(cháng)
-
規格
特長(cháng)
- 高解析度能夠高精度測量7 nm generation devices
- 提高深槽·孔的尺寸測量和材料對比度的可視性
- 通過(guò)選擇性能強化二次電子和被背向散射電子信號來(lái)提高對比度成像
- 包括高速掃描在內的多種掃描方式取得減少帶電的清晰圖像
- 搭載新設計的高速芯片載臺搬送系統
規格
| 晶圓尺寸 | Φ300 mm （SEMI 標準規格 V notched wafer） |
|---|---|
| 自動(dòng)裝片 | 3 FOUP*4 -compatible random access |
| 電源 | 單相AC200V、208V、230V、12kVA（50/60Hz） |
- *4
- FOUP（Front-Opening Unified Pod）：半導體工廠(chǎng)的制式正面開(kāi)口式cassette 一體型搬送、保管箱
