一、PIPS半導體探測器
PIPS半導體探測器外觀(guān)圖
AB系列的PIPS探測器測量226Ra-α源能譜
(型號:SP-D20-R14,靈敏直徑20mm,真空避光下測量,50V偏壓,能量分辨率0.40%)
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
采用鈍化、離子注入與平面光刻等多種半導體工藝技術(shù)相結合,經(jīng)過(guò)攻克鈍化保護、離子注入、低漏電流、大面積、高能量分辨率、環(huán)境光下使用等難題后,成功開(kāi)發(fā)出用于α和β粒子的能譜和計數測量的高性能PIPS探測器。
二、 產(chǎn)品特點(diǎn)
1) 超薄死層(入射窗),表面鈍化處理,穩定性好;離子注入結,堅固可靠;
2) 漏電流低,噪聲低,幾何探測效率高,β探測效率高;
3) 可在真空環(huán)境下使用中,AB系列探測器的α能量分辨率高;
4) CAM系統探測器表面可沖洗、可擦拭。特殊定制可經(jīng)350℃高溫烘烤。
二、SiC半導體探測器
圖1. SiC半導體探測器外形圖
圖2. SiC探測器測量241Am-α粒子能譜
(型號:SiC-CB10-20P,靈敏面積100mm2,真空閉光下測量,偏壓50V,能量分辨率0.95%)
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
SiC探測器在抗高溫、抗輻射以及耐高擊穿電壓等方面的性能非常*,SiC探測器可用于α、β、γ/X、n核輻射測量,廣泛應用于、核能、電子、航天等領(lǐng)域。
二、 產(chǎn)品特點(diǎn)
1) α能量分辨率高(≤1%@5.48MeV),極低漏電流(≤10nA/cm2)
2) 耐高溫(烘烤溫度≤350℃)耐輻照(快中子≥1E14/cm2)
三、ZZSO中子探測器
圖1. ZZSO中子探測器n-γ響應能譜
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
ZZSO中子探測器具有熱中子探測效率高、快慢中子響應、伽馬甄別能力強、時(shí)間響應快、輸出幅度大、噪聲低等優(yōu)點(diǎn),各種規格的ZZSO探測器可用于中子個(gè)人劑量計、中子報警儀、中子巡測儀、中子當量劑量?jì)x等核儀器儀表。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1) 熱中子探測效率高,快慢中子同時(shí)測量,中子伽馬同時(shí)測量
2) 靈敏度高,時(shí)間響應,中子-伽馬串擾率低
3) 長(cháng)期穩可靠性,集成度高,功耗低