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    RPS晶圓干法去膠機

    參考價(jià)面議
    具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準
    • 公司名稱(chēng)深圳市長(cháng)豐檢測設備有限公司
    • 品       牌
    • 型       號
    • 所  在  地深圳市
    • 廠(chǎng)商性質(zhì)其他
    • 更新時(shí)間2024/5/8 10:40:40
    • 訪(fǎng)問(wèn)次數127
    產(chǎn)品標簽:

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    公司是一家專(zhuān)注于生產(chǎn):模擬環(huán)境可靠性試驗設備、力學(xué)設備、實(shí)驗室研發(fā)檢測設備、大型智能高溫老化設備、非標自動(dòng)化設備、半導體表面清洗設備等產(chǎn)品的企業(yè),產(chǎn)品性能優(yōu)良、耗能低、經(jīng)久耐用,并可根據用戶(hù)的特殊需求進(jìn)行定制。專(zhuān)門(mén)為通信、汽車(chē)電子、半導體、新能源材料等領(lǐng)域提供測試解決方案及產(chǎn)品檢測。公司總部位于深圳市寶安區沙井以銷(xiāo)售研發(fā)為主,華南代工廠(chǎng)位于東莞市虎門(mén)鎮以及萬(wàn)江鎮,華東代工廠(chǎng)位于江蘇省昆山市均以生產(chǎn)為主;公司職員大專(zhuān)及以上學(xué)歷人才占85%,擁有獨立自主的研發(fā)團隊及規范專(zhuān)業(yè)的生產(chǎn)團隊﹔同時(shí)也獲得一系列的證書(shū)、知識產(chǎn)權及°企業(yè)"”的認證。公司自成立以來(lái)不斷的引進(jìn)各種專(zhuān)業(yè)人才對產(chǎn)品進(jìn)行優(yōu)化升級、改良,使得銷(xiāo)售額年均增長(cháng)達到30%~50%左右,產(chǎn)品也由單一環(huán)境可靠性試驗設備逐步拓展到力學(xué)設備、非標自動(dòng)化設備以及半導體表面清洗等設備涉足面廣基本實(shí)現全面穩定性發(fā)展,并隨著(zhù)在國內環(huán)境試驗設備等各行業(yè)里逐步建立起的良好口碑和廣泛的品牌認知,我司先后成為諸多企業(yè)及各地高校的親密合作伙伴。公司始終堅持從技術(shù)創(chuàng )新開(kāi)發(fā)、設計、成品組裝、調試、測試等每個(gè)環(huán)節,以務(wù)實(shí)、專(zhuān)業(yè)、嚴苛的質(zhì)量標準進(jìn)行產(chǎn)品管理。品質(zhì)至上、朋務(wù)至優(yōu)是我司的發(fā)展理念,客戶(hù)的滿(mǎn)意即是我們的目標。產(chǎn)品優(yōu)勢:1、產(chǎn)品性能優(yōu)良、經(jīng)久耐用,并可根據客戶(hù)的特殊需求進(jìn)行定制。2、獨立自主的研發(fā)團隊,規范的生產(chǎn)團隊,嚴格按照工藝要求生產(chǎn),外型美觀(guān)。3、核心部件采用國外,可保證試驗機的性能及品質(zhì)。擁有健全的售后服務(wù)保證體系。
    振動(dòng)耐磨擦試驗機
    一、常規參數1.安裝尺寸:1300*2300*2000mm(寬*長(cháng)*高)2.設備參數配置:三相電壓380V,50/60Hz,總電流不超過(guò)50A;3.設備部署環(huán)境:萬(wàn)級淨化間,溫度21~23℃,相對濕度45±5%
    RPS晶圓干法去膠機 產(chǎn)品信息

    一、常規參數

    1.安裝尺寸:1300*2300*2000mm(寬*長(cháng)*高)

    2.設備參數配置:三相電壓380V,50/60Hz,總電流不超過(guò)50A;

    3.設備部署環(huán)境:萬(wàn)級淨化間, 溫度21~23℃,相對濕度45±5%;

    4. MTTR/平均故障修復時(shí)間<4小時(shí),MTBF/平均時(shí)間>250小時(shí),

    Uptime/正常運行時(shí)間≥92% .

    5. Wafer Breakage/碎片率≤1/10000PCs

    6.Descum WPH/descum 產(chǎn)能≥90wafers(基於20秒descum工藝時(shí)間程式)

    7.base pressure/腔體底壓≤20mTorr;leakage check腔體漏率≤10mtorr/min

    8.Partical/顆粒度 :<30ea@0.2um  腔體單次傳片大於0.2um的顆粒增加量小於20顆

    9.支持SECS/GEM通訊協(xié)議

    二、技術(shù)規格

    2.1設備規格

    主機部分

    No.

    Item/專(zhuān)案

    Specification/規格說(shuō)明

    1

    Plasma Source

     

    RPS Plasma Source/微波等離子源,1000W, 2.45GHz

    RF bias(底部射頻偏壓) 600W,13.56MHz

    2

    Process Chamber

    工作臺chuck溫度範圍: 20~50℃;

    可選chuck控溫:50~250℃

    水冷機控溫

    適合wafer尺寸: 200mm wafer

    腔體數量: 2個(gè) Al 6061 腔體

    腔體自動(dòng)門(mén):中國臺灣AdvanTorr

    3

    Gas Supply System

    單個(gè)腔體工藝氣路3

    MFC品牌:MKS

    腔體氣路: O2/N2/Ar,CF4為選配氣體

    4

    Vacuum System

    幹泵: 愛(ài)德華

    壓力控制: Throttle valve 蝶閥 中國臺灣HTC

    真空計:Inficon Vacuum Gauge

    5

    Auto Wafer Transfer  System

    上料臺:2 cassette 上料臺,適合 8 inch wafers;

    Cassette wafer mapping:晶圓擺放檢測

    VAC Robot; 日本JEL

    6

    Control System

    PC:工業(yè)電腦 Windows系統控制;

    操作軟體: 介面友好,圖形化視圖,自動(dòng)保存log檔

    7

    Safety System

    EMO: 三個(gè)急停按鈕

    Interlock硬體安全互鎖: 硬體互鎖包括 Power/Temp/Vacuum


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