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    X113高精度儀器級氮化鎵霍爾傳感器

    參考價(jià)面議
    具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準
    • 公司名稱(chēng)深圳市柯雷科技開(kāi)發(fā)有限公司
    • 品       牌
    • 型       號
    • 所  在  地
    • 廠(chǎng)商性質(zhì)其他
    • 更新時(shí)間2024/5/31 8:35:45
    • 訪(fǎng)問(wèn)次數167
    產(chǎn)品標簽:

    在線(xiàn)詢(xún)價(jià)收藏產(chǎn)品 點(diǎn)擊查看電話(huà)
    深圳市柯雷科技開(kāi)發(fā)有限公司成立于2012年，位于深圳市寶安區，注冊資金1000萬(wàn)元。公司自成立以來(lái)，一直專(zhuān)注于工業(yè)儀器儀表領(lǐng)域，中德研發(fā)工程師通力合作，堅持正向研發(fā)，致力于開(kāi)發(fā)技術(shù)的新產(chǎn)品和提供應對各種工作環(huán)境的解決方案。至今，公司已取得3項發(fā)明和3項實(shí)用新型，最近的2項新的發(fā)明已到實(shí)審階段。 公司的產(chǎn)品是基于電磁波原理，主要分成5大系列：磁場(chǎng)檢測儀（DC-100KHz），微波水分儀（10G-30GHz），電磁場(chǎng)檢測儀（DC-60GHz），雷達料位計（24G-300GHz），核射線(xiàn)檢測儀（>100PHz）。公司所有產(chǎn)品一直秉承可靠和高性?xún)r(jià)比的原則，自成立以來(lái)取得了無(wú)數用戶(hù)的認可。公司銷(xiāo)售額年均保持在50%以上的增長(cháng)。 公司的磁場(chǎng)檢測儀牢牢，以高精度、多功能、高穩定性、高可靠性，優(yōu)于其他國內品牌，直接與國際品牌儀器競爭，在國內外高校、計量單位、研究機構都頗受好評公司的在線(xiàn)水分產(chǎn)品，憑借的單探頭設計和相控陣微波傳感器，獲得客戶(hù)的，成為了行業(yè)的黑馬。 公司的產(chǎn)品一直秉承可靠和高性?xún)r(jià)比的原則，取得了無(wú)數用戶(hù)的認可。主要客戶(hù)包括華為、富士康、TCL等集團企業(yè)，與全國各地的醫院、高校、各級計量單位及研究機構等都已經(jīng)展開(kāi)合作。 公司建立了嚴謹的質(zhì)量體系管理標準，已于2014年11月18日取得ISO9001-2008證書(shū)（GB/T19001-2008/ISO9001-2008）；于2017年11月14日取得ISO9001-2015證書(shū)（18717Q110346ROS）。 2015年4月22日成為中核集團合格供應商。（CNNC-150027700） 2017年公司被納入深圳市創(chuàng )新型中小微企業(yè)重點(diǎn)培育梯隊，同年獲得國家企業(yè)認證證書(shū)。(GR201744201060) 2018年8月，公司獲得了深圳創(chuàng )業(yè)之星賽電子行業(yè)賽第二名。 2018年9月，公司獲得了深圳寶創(chuàng )賽電子一名，全行業(yè)總決賽第二名。 2018年12月，公司通過(guò)知識產(chǎn)權管理體系認證。 我們的人員和業(yè)務(wù)不斷擴大，開(kāi)始在世界各地發(fā)展業(yè)務(wù)，開(kāi)拓了大量的國際市場(chǎng)。目前，公司已組成了一支由國外專(zhuān)家、海歸博士等人才的專(zhuān)業(yè)技術(shù)研發(fā)團隊。 Coliy的任務(wù)是成為工業(yè)成份分析和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品領(lǐng)域的，以合理的價(jià)格提供精確可靠的測量。 客戶(hù)的認可就是對我們的支持！
    水分儀
    X113高精度儀器級氮化鎵霍爾傳感器
    X113高精度儀器級氮化鎵霍爾傳感器 產(chǎn)品信息

    提供專(zhuān)業(yè)的磁場(chǎng)測量解決方案

    強磁場(chǎng)測量?jì)x器(0 - 20T)

    型號

    原理

    類(lèi)型

    軸數

    DC精度

    量程

    分辨率

    X113

    霍爾

    霍爾元件

    1

    <>

    15T

    TC: 30ppm/K

    G80

    霍爾

    手持式

    1

    2%

    2T

    10μT

    G81

    霍爾

    手持式

    1

    0.8%

    10T

    1μT

    G82

    霍爾

    手持式-高頻

    1

    0.8%

    10T

    1μT

    G83

    霍爾

    手持式

    3

    0.8%

    10T

    1μT

    G92

    霍爾

    手持式

    1

    1%

    10T

    10μT

    G93

    霍爾

    手持式

    3

    1%, 0.5%

    20T

    1μT

    G201

    霍爾

    臺式

    1

    0.2%

    10T

    1μT

    G203

    霍爾/磁阻

    臺式

    3

    0.2%

    10T

    10nT

    G401

    霍爾

    臺式

    1

    0.04%

    10T

    1μT

    G403

    霍爾

    臺式

    3

    0.04%

    10T

    1μT

    GSP301A

    霍爾

    模擬變送器

    1

    1%, 0.2%

    10T

    Output: ±3V

    GSP301D

    霍爾

    數字變送器

    1

    1%, 0.2%

    10T

    1μT

    GSP303D

    霍爾

    數字變送器

    3

    1%, 0.2%

    20T

    1μT

    GSP303D-S

    霍爾

    數字變送器

    3

    0.5%, 0.1%

    3T

    1μT

    磁場(chǎng)測試系統

    GAS3000

    陣列磁場(chǎng)檢測系統，同步檢測多達128個(gè)位置的磁場(chǎng)

    GMS980

    高精度高斯計標定系統 （高精度特斯拉計檢定裝置）

    弱磁場(chǎng)測量?jì)x器(0- 2mT)

    弱磁場(chǎng)高斯計

    型號

    原理

    類(lèi)型

    軸數

    DC精度

    量程

    分辨率

    GMR61

    磁阻

    手持式

    1

    0.8%

    600μT

    10nT

    GMR63

    磁阻

    手持式

    3

    0.8%

    600μT

    10nT

    GF601

    磁通門(mén)

    手持式

    1

    0.5%

    1mT

    0.1nT

    GF603

    磁通門(mén)

    手持式

    3

    0.25%

    1mT

    0.1nT

    GF633

    磁通門(mén)

    臺式

    3

    0.1%

    100μT

    0.01nT

    GFP703

    磁通門(mén)

    智能變送器

    3

    0.5%

    1mT

    0.1nT

    GFP703S

    磁通門(mén)

    頻譜分析儀

    3

    0.5%

    1mT

    0.01nT

    GFP803

    磁通門(mén)

    智能變送器

    3

    0.2%

    1mT

    0.1nT

    交流磁場(chǎng)測量(DC- 1MHz)

    型號

    原理

    類(lèi)型

    軸數

    AC精度

    量程

    頻率響應

    AMS-2K

    交流線(xiàn)圈

    模擬傳感器

    1

    1%

    3mT

    30Hz- 2kHz

    AMS-1M

    交流線(xiàn)圈

    模擬傳感器

    1

    1%

    3mT

    2kHz- 1MHz

    G1000

    磁阻

    智能變送器

    3

    DC- 1%   AC- 2%

    400μT/ Axis

    DC- 1MHz

    GA1000

    磁阻

    手持式

    3

    2%

    400μT/ Axis

    30Hz- 1MHz

    GSP301HFA

    磁阻

    模擬變送器

    1

    1%

    150μT

    20Hz-1.2MHz

    GSP303HFA

    磁阻

    模擬變送器

    1

    1%

    150μT

    20Hz-1.2MHz

    磁通門(mén)傳感器

    型號

    原理

    類(lèi)型

    軸數

    噪聲等級

    量程

    輸出

    F901

    磁通門(mén)

    經(jīng)濟型

    3

    10 to 20pT

    1000μT

    ±10V,單端

    F902

    磁通門(mén)

    低噪聲

    3

    <>

    100μT

    ±10V,單端

    F903

    磁通門(mén)

    低功耗

    3

    10 to 20pT

    200μT

    ±3V,差分

    F904

    磁通門(mén)

    低功耗|低噪聲

    3

    <>

    100μT

    ±3V,差分

    F905

    磁通門(mén)

    高性能|低噪聲

    3

    <>

    100μT

    ±10V,單端

    F906

    磁通門(mén)

    低功耗

    3

    10 to 20pT

    100μT

    ±3V,差分

    F23

    磁通門(mén)

    分體式|大量程

    3

    <>

    1500μT

    ±10V,單端

    F53

    磁通門(mén)

    高溫型

    3

    ≤300pT@175℃

    100μT

    ±5V,差分

    磁通門(mén)傳感器數據采集單元

    FDU301

    可連接1個(gè)三軸磁通門(mén)傳感器

    ASA1000

    可連接2-126個(gè)單軸磁通門(mén)傳感器 或者2-42個(gè)三軸磁通門(mén)傳感器

    AFS

    陣列磁通門(mén)傳感器檢測系統，可連接多個(gè)磁通門(mén)磁場(chǎng)變送器

    GMR-16

    微型弱磁場(chǎng)傳感器陣列，可同步采集2-16個(gè)微型弱磁場(chǎng)傳感器的數據

    GR100

    數字式三軸磁通門(mén)梯度儀

    備注：

    1、 磁場(chǎng)單位換算：1T= 10kG; 1mT= 10G; 1μT= 10mG;   1nT= 10μG

    2、 點(diǎn)擊上表左側型號，可查閱相應型號的產(chǎn)品資料










    Features: 

    l  Instrumentation Quality

    l  Excellent linearity error : 0.05%

    l  TC of sensitivity: 30ppm/K

    l  Max Range : 15T

     

    Typical Applications

    l  Current and power measurement

    l  Magnetic field measurement

    l  Control of brushless DC motors

    l  Rotation and position sensing

    l  Measurement of diaphragm 

     

    The third-generation semiconductor gallium nitride (GaN) Hall sensor X113, built into a SMT package (SOT-143), has the characteristics of good temperature stability, high linearity and low noise, which is superior to the second-generation semiconductor gallium arsenide (GaAs) sensor technology.


    Hall sensor X113 is outstanding for its excellent linearity error 0.05% and very low temperature coefficients 30ppm/K. While the sensor is operated with constant current, the output hall voltage is directly proportional to a magnetic field acting perpendicular to the surface of the sensor.

     

    Maximum Ratings

    Parameter

    Symbol

    Value

    Unit

    Operating temperature

    TA

    – 40 ? + 100

    °C

    Storage temperature

    Tstg

    – 60 ? + 130

    °C

    Supply current

    I1

    30

    mA

    Thermal conductivity, soldered in air

    GthC GthA

    3 2.2

    3 1.5

    mW/K mW/K

     

     

     

    Characteristics (TA = 25℃)

    Parameter

    Condition

    MIN

    TYP

    MAX

    Unit

    Nominal supply current

    I1N


    20

    30 

    mA

    Open-circuit hall voltage

    I1 = I1N, B = 0.1 T

    V20

    7.0


    9.0 

    mV

    Ohmic offset voltage

    I1 = I1N, B = 0 T

    VR0


    0.1

    0.3

    mV

    Active area (in the sensor center)



    0.07


    mm2

    Linearity of Hall voltage

    B = 0.1 ? 2.0 T

    FL


    0.05


    %

    Input resistance      

    B = 0 T

    R10

    60


    75 

    W

    Output resistance    

    B = 0 T

    R20

    60


    75 

    W

    Temperature coefficient of the open-circuit Hall-voltage

    I1 = I1N,  B = 0.5 T

    TCV20


    -30


    ppm/K

    Temperature coefficient of the internal resistance   

    B = 0 T

    TCR10, R20


    0.08


    %/K

    Temperature coefficient of ohmic offset voltage

    I1 = I1N,  B = 0 T

    TCVR 0

    1


    4

    μT/K

    Noise figure

    F


    10


    dB

    Range


    10


    15 

    Tesla

     

    ※ ※ ※ 點(diǎn)擊查看其他磁測設備  ※ ※ ※




     

     

     

     

     

     


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