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四探針?lè )阶桦娮杪蕼y試儀

GB/T 1555 半導體單晶晶向測定方法
絕緣性，探針之間及任一探針與機座之間的直流絕緣電阻大于（1×10）n， 測量環(huán)境
將樣品粘在磨頭的斜面上，選取合適的研磨膏涂抹在樣品表面進(jìn)行研磨，研磨后樣品須處理干凈。
該方法是先測量重復形成的點(diǎn)接觸的擴展電阻，再用校準曲線(xiàn)來(lái)確定被測試樣在探針接觸點(diǎn)期近的電阻率。擴展電阻R是導電金屬深針與建片上一個(gè)參考點(diǎn)之間的電勢降與流過(guò)探針的電流之比。
根據探針負荷，確定探針下降到試樣上的速度，當負荷等于0.4N時(shí)，比較合適的探針下降速度為1 mm/s，將探針在用5 μm粒度研磨脊研磨過(guò)的硅片表面步進(jìn)壓觸500次以上，或用 8000號~1000號的砂布或砂紙輕修整探針尖，使針實(shí)老化。
GB/T 1551-1995 硅、鍺單晶電阻率測定 直流兩探針?lè )?br />式中;p—-—電阻率，單位為歐姆厘來(lái)（0·cm）; a——接觸率徑，單位為厘米（cm） R，——擴展電阻，單位為歐姆（N），等式成立需符合如下三個(gè)假定條件;
電流輸出：直流電流?0～1000mA?連續可調，由交流電源供電。
R,- Rlor()式中;R，—-精密電阻盟值，單位為歐姆（N）; loe（告）——-對數比較器輸出。
對于電阻率均勻一致的半導體材料來(lái)說(shuō)，探針與半導體材料接觸半徑為a的擴展電阻用式（1）來(lái)表示;
a）兩個(gè)探針之間的距離必須大于 10 倍 a; b） 樣品電阻率需均勻一致; c） 不能形成表面保護膜或接觸勢壘。

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干狀因素如果硅片表測被氯離子估污或表固有損傷，會(huì )造成測試的結果誤差; 如果測試環(huán)境的溫度，光照強度的不同會(huì )影響測試結果; 如果測試環(huán)境有射頻干擾，會(huì )影響測試結果.
GB/T 1552-1995 硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針?lè )?br />分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
樣品制備用于測量晶片徑向電膽率均勻性的樣品應具有良好的鏡狀表面，制備方法包括，化學(xué)機被拋光/含水機被拋光/無(wú)水機被監光，外延后表面可直接用于測量，
電源：220±10% 50HZ/60HZ
用于測量電阻率縱向分布的樣品制備除特殊需要外，盡量在被測樣片中間區域劑取被測樣根據樣品測試深度及精度要求選取合通磨頭;
選擇探針負荷為0.1 N～1 N，每一探針應使用相同負荷。
測量?jì)x器與環(huán)境本標準選用自動(dòng)測量?jì)x器，電流范圍及糖度;10 nA~10 mA，±0.1%。
電壓范圍及精度，≤20 mV，主±0，1%。
分辨率：  醉小1μΩ

標配：測試平臺一套、主機一套、電源線(xiàn)數據線(xiàn)一套。
本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示電阻值、電阻率、方阻、電導率值、溫度、壓強值、單位自動(dòng)換算，配置不同的測試治具可以滿(mǎn)足不同材料的測試要求。測試治具可以根據產(chǎn)品及測試項目要求選購.

CB/T1550 非本征率導體材料導電類(lèi)型測試方法 GB/T 1552 硅、儲單晶電阻率測定 直排四探針?lè )?br />電導率：5×10-6～1×108ms/cm
可采用恒壓法，恒流法和對數比較器法，其電路圖分別見(jiàn)圖1、圖2、圖3.具體計算公式分別見(jiàn)式（2）、式（3）和式（4）
測量電壓量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?
為保證小信號測量條件，應使探針電勢不大于 20 mV。
方法原到擴展電阻法是一種實(shí)驗比較法。

測量精度±（0.1%讀數）
電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
樣品臺，絕緣真空吸盤(pán)或其他能將硅片固定的裝置，能在互相垂直的兩個(gè)方向上實(shí)現5μ~500μm 步距的位移
本標準適用于側量晶體晶向與導電類(lèi)型已知的硅片的電阻率和測量材底同型或反型的硅片外延層的電阻率，測量范圍，10-* n·cm～10' Ω·cm。
范圍本標準規定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針?lè )?/p>

GB/T 6617-1995 硅片電阻率測定 擴展電阻探針?lè )?br />將針尖進(jìn)行清脂處理，測量1n·cm均勻p型硅單晶樣品擴展電阻，如果多次測登的擴展電阻值的相對標準偏差在士10%以?xún)?，并且平均值是在正常的擴展電阻值范圍內，可認為針尖是良好的，否則該探針應重新老化或使用新操.
電阻測量范圍：
規范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，敷勵根據本標準達成協(xié)議的各方研究是香可使用這些文件的服本。凡是不注日期的引用文件，其版本適用于本標準。
誤差：±0.2%讀數±2字
在中國標準分類(lèi)中，四探針?lè )ㄉ婕暗桨虢饘倥c半導體材料綜合、金屬物理性能試驗方法、、、電工合金零件、特種陶瓷、質(zhì)譜儀、液譜儀、能譜儀及其聯(lián)用裝置、電阻器、半導體集成電路、工程地質(zhì)、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質(zhì)分析方法、電工材料和通用零件綜合、半金屬、元素半導體材料、金屬無(wú)損檢驗方法。
應避免試樣表面上存在OH-和F離子，如果試樣在制備或清洗中使用了含水溶劑或材料，測量前可將試樣在140℃士20 ℃條件下空氣中熱處理10mi~15 min.
測量步驟儀器準備調節探針間距到期望值，記錄探針間距。
本儀器配置各類(lèi)測量裝置可以測試不同材料之電導率。液晶顯示，無(wú)需人工計算，并帶有溫度補償功能，電導率單位自動(dòng)選擇，BEST-300C 材料電導率測試儀自動(dòng)測量并根據測試結果自動(dòng)轉換量程，無(wú)需人工多次和重復設置。選配：配備軟件可以由電腦操控，并保存和打印數據，自動(dòng)生成圖表和報表。
GB/T 14847 重摻雜襯底上輕摻雜建外延層厚度的紅外反射測顯方法
主機外形尺寸：330mm*340mm*120mm
測量環(huán)境溫度為23 ℃士3 ℃，相對溫度不大于65%. 5，在愛(ài)射光或黑暗條件下進(jìn)行調量。 必要時(shí)應進(jìn)行電磁屏蔽。 探針架置于消度臺上，
標準分類(lèi)中，四探針?lè )ㄉ婕暗桨雽w材料、金屬材料試驗、絕緣流體、獸醫學(xué)、復合增強材料、電工器件、無(wú)損檢測、集成電路、微電子學(xué)、土質(zhì)、土壤學(xué)、水質(zhì)、電子顯示器件、有色金屬。
電阻：1×10-5～2×105Ω
測量誤差±5%
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?

GB/T 14141-2009 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定.直排四探針?lè )?br />四端測試法是目前較*之測試方法，主要針對高精度要求之產(chǎn)品測試；本儀器廣泛用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門(mén)，是檢驗和分析導體材料和半導體材料質(zhì)量的一種重要的工具。
圓試精度∶士5%， 機械裝置操針架，采用雙探針結構。探針架用作支承探針，使其以重復的速度和預定的壓力將探針尖下降至試樣表面，并可調節探針的接觸點(diǎn)位置探針實(shí)采用堅硬耐磨的良好導電材料如餓、碳化鴨成將釘合金等制成。針突曲率半徑不大于 25 μm，夾角 30°～60°。針距為40 μm～100 μm。
顯示方式：液晶顯示
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