昆山友碩新材料有限公司
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更新時(shí)間：2023-07-17 10:41:49瀏覽次數：227次
聯(lián)系我時(shí)，請告知來(lái)自 紡織服裝機械網(wǎng)蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM結合了場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)出色的成像和分析性能，和新一代聚焦離子束(FIB)優(yōu)異的加工性能。無(wú)論是在科研或是工業(yè)
蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM結合了場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)出色的成像和分析性能，和新一代聚焦離子束(FIB)優(yōu)異的加工性能。無(wú)論是在科研或是工業(yè)實(shí)驗室，您都可以在一臺設備上實(shí)現多用戶(hù)同時(shí)操作。得益于蔡司Crossbeam系列模塊化的平臺設計理念，您可以根據自己需求的變化隨時(shí)升級儀器系統。在加工、成像或是實(shí)現三維重構分析時(shí)，Crosssbeam系列都將大大提升您的應用體驗。
使用Gemini電子光學(xué)系統，您可以從高分辨率SEM圖像中提取真實(shí)樣本信息
使用新的Ion-sculptor FIB鏡筒以及全新的樣品處理方式，您可以大限度地提高樣品質(zhì)量、降低樣品損傷，同時(shí)大大加快實(shí)驗操作過(guò)程
使用Ion-sculptor FIB的低電壓功能，您可以制備超薄的TEM樣品，同時(shí)將非晶化損傷降到非常低
使用Crossbeam 340的可變氣壓功能
或使用Crossbeam 550實(shí)現更苛刻的表征，大倉室甚至為您提供更多選擇
EM樣品制備流程
按照以下步驟，高效率、高質(zhì)量地完成制樣
Crossbeam 為制備超薄、高質(zhì)量的TEM樣品提供了一整套解決方案，您可以高效地準備樣品，并在TEM或STEM上實(shí)現透射成像模式的分析。
1.自動(dòng)定位——感興趣的區域(ROI)輕松導航
您可以不費功夫地找到感興趣的區域(ROI)
使用樣品交換室的導航相機對樣品進(jìn)行定位
集成的用戶(hù)界面使得您可以輕松定位到ROI
在SEM上獲得寬視野、無(wú)畸變的圖像
2. 自動(dòng)制樣——從體材料開(kāi)始制備薄片樣品
您可以通過(guò)簡(jiǎn)單的三個(gè)步驟制備樣品：ASP(自動(dòng)樣品制備)
定義參數包括漂移修正，表面沉積以及粗切、精細切割
FIB鏡筒的離子光學(xué)系統保證了工作流程具有的通量
將參數導出為副本，進(jìn)而可以重復操作實(shí)現批量制備
3. 輕松轉移——樣品切割、轉移機械化
導入機械手，將薄片樣品焊接在機械手的針尖上
將薄片樣品與樣品基體連接部分進(jìn)行切割，使其分離
薄片隨后會(huì )被提取并轉移到TEM柵網(wǎng)上
4. 樣品減薄——獲取高質(zhì)量TEM樣品至關(guān)重要的一步
儀器在設計上允許用戶(hù)實(shí)時(shí)監控樣品厚度，并最終達到所需求的目標厚度
您可以同時(shí)通過(guò)收集兩個(gè)探測器的信號判斷薄片厚度，一方面可以通過(guò)SE探測器以高重復性獲取最終厚度，另一方面可以通過(guò)Inlens SE 探測器控制表面質(zhì)量
制備高質(zhì)量的樣品，并將非晶化損傷降到可以忽略的地步
| 蔡司 Crossbeam 340 | 蔡司 Crossbeam 550 | |
|---|---|---|
| 掃描電子束系統 | Gemini I VP 鏡筒 - | Gemini II鏡筒 可選Tandem decel |
| 樣品倉尺寸和接口 | 標準樣品倉有18個(gè)擴展接口 | 標準樣品倉有18個(gè)擴展接口或者加大樣品倉有22個(gè)擴展接口 |
| 樣品臺 | X/Y方向行程均為100mm | X/Y方向行程：標準樣品倉100mm加大樣品倉153 mm |
| 荷電控制 | 荷電中和電子槍 局域電荷中和器 可變氣壓 | 荷電中和電子槍 局域電荷中和器
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| 可選選項 | Inlens Duo探測器可依次獲取SE/EsB圖像 VPSE探測器 | Inlens SE 和 Inlens EsB可同時(shí)獲取SE和ESB成像 大尺寸預真空室可傳輸8英寸晶元 注意加大樣品倉可同時(shí)安裝3支壓縮空氣驅動(dòng)的附件。例如 STEM, 4分割背散射 探測器和局域電荷中和器 |
| 特點(diǎn) | 由于采用了可變氣壓模式，從而具有更大范圍的樣品兼容性，適用于各類(lèi)原位實(shí)驗，可依次獲取SE/EsB圖像 | 高效的分析和成像，在各種條件下保持高分辨特性，同時(shí)獲取Inlens SE和Inlens ESB圖像 |
| *SE 二次電子，EsB 能量選擇背散射電子 |
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