用于沉積納米級薄膜、納米粉末包覆、長(cháng)深孔樣品鍍膜;具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生產(chǎn)型ALD;具備近100種膜層工藝。
芯片封裝、半導體High-k介電層、納米涂層、3D涂層、鋰電池、催化劑、太陽(yáng)能電池、5G通訊(SAW器件)、生物醫學(xué)仿生、熒光材料、OLED顯示、有機材料、電子電路、光學(xué)膜等,細分及對應膜層如下:
-High-K介電材料(Al2O3,HfO2,ZrO2,PrAlO,Ta2O5,La2O3)
-導電門(mén)電極 (Ir, Pt, Ru, TiN)
-金屬互聯(lián)結構 (Cu WN,TaN,Ru,Ir)
-催化材料 (Pt,Ir,Fe,Co,TiO2,V2O5)
-納米結構 (All ALD Material)
-生物醫學(xué)涂層 (TiN,ZrN,TiAlN,AlTiN)
-金屬 (Ru,Pd,Ir,Pt,Rh,Co,Cu,Fe,Ni)
-壓電層 (ZnO,AlN,ZnS)
-透明電學(xué)導體 (ZnO:Al,ITO)
-紫外阻擋層 (ZnO,TiO2)
-光子晶體 (ZnO,ZnS:Mn,TiO2,Ta3N5)
-防反射濾光(Al2O3,ZnS,SnO2,Ta2O5)
-電致發(fā)光器件(SrS:Cu,ZnS:Mn,ZnS:Tb,SrS:Ce)
-工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等 (Al2O3,ZrO2)
-光學(xué)應用如太陽(yáng)能電池、激光器、光學(xué)涂層、納米光子等 (AlTiO,SnO2,ZnO)
-傳感器 (SnO2,Ta2O5)
-磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3,ZrO2,WS2)
-OLED鈍化層 (Al2O3)
功能特點(diǎn):
-采用熱法和等離子法制備原子層納米級薄膜
-一個(gè)循環(huán)周期小于2秒鐘
-可以沉積有機高分子材料,實(shí)現表面親疏水性
-可以在納米粉末或納米顆粒上沉積薄膜
-可以在三維、不規則體、帶有長(cháng)深孔(深寬比2500:1)樣品上沉積薄膜
-可以沉積低飽和蒸汽壓材料
-可增加在線(xiàn)橢偏儀和QCM檢測
-可增加等離子體裝置
-可擴展臭氧產(chǎn)生器
-可集成手套箱設備
-可增加Load-lock自動(dòng)上下載片裝置
可沉積膜層:
