北京縱橫金鼎儀器設備有限公司
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描述：薄膜介電常數介質(zhì)損耗測試儀LJD系列 介電常數測試儀由高頻阻抗分析儀、測試裝置，標準介質(zhì)樣品組成，能對薄膜、各種板材及液態(tài)絕緣材料進(jìn)行高低頻介電常數（ε）和介質(zhì)損耗角（D或tanδ） 的測試。它符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規范要求。
LJD系列 介電常數測試儀由高頻阻抗分析儀、測試裝置，標準介質(zhì)樣品組成，能對薄膜、各種板材及液態(tài)絕緣材料進(jìn)行高低頻介電常數(ε)和介質(zhì)損耗角(D或tanδ) 的測試。它符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規范要求。
LJD系列介電常數測試儀工作頻率范圍是20Hz～5MHz,它能完成工作頻率內對絕緣材料的相對介電常數(ε)和介質(zhì)損耗角 (D或tanδ)變化的測試。
LJD系列中測試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測樣品，配用高頻阻抗分析儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數和損耗值是通過(guò)被測樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗值)變化和Cp（電容值）讀數通過(guò)公式計算得到。
1薄膜介電常數介質(zhì)損耗測試儀? 特點(diǎn)：
◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示，保證了ε和D值精度和重復性。
◎ 介電常數測量范圍可達1～105
2 薄膜介電常數介質(zhì)損耗測試儀主要技術(shù)指標：
2.1 ε和D性能：
2.1.1 固體絕緣材料測試頻率20Hz～5MHz的ε和D變化的測試。
2.1.2 ε和D測量范圍：ε：1～105，D：0.1～0.00005，
2.1.3 ε和D測量精度（10kHz）：ε：±2% ， D：±5%±0.0001。
2.2高頻阻抗分析儀和數字電橋
型號 | LJD-C | LJD-D |
工作頻率范圍 | 50Hz～100kHz（10個(gè)頻點(diǎn)） 精度：±0.05% | 20Hz～1MHz/2MHz/5MHz 數字合成，精度：±0.02% |
電容測量范圍 | 0.0001pF～99999μF 四位數顯 | 0.00001pF～9.99999F 六位數顯 |
電容測量基本誤差 | ±0.05% | ±0.05% |
損耗因素D值范圍 | 0.0001～9.9999 四位數顯 | 0.00001～9.99999 六位數顯 |
2.3 DL916B 介電常數測試裝置（含保護電極）
2.3.1 平板電容器極片尺寸：Φ5mm、Φ38mm和Φ50mm三種可選.
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率：0～8mm， ±0.001mm
2.3.3插頭間距：與電橋四端配合
2.3.4加溫控溫裝置(選購設備)可以完成高200℃控溫精度l℃加熱測試。
2.4 Agilent 16451B 介質(zhì)材料測試裝置提供四種不同直徑測試電極，
能對直徑φ10～56mm，厚度<10mm的試樣精確測量。它針對不同試樣
可設置為接觸電極法，薄膜電極法和
非接觸法三種，以適應軟材料，表面不平整和薄膜試樣測試。
2.4.1 微分頭分辨率：10μm
2.4.2 z高耐壓：±42Vp（AC+DC）
2.4.3 電纜長(cháng)度設置：1m
2.4.4 z高使用頻率：30MHz
2.5 高頻介質(zhì)樣品（選購件）：
在現行高頻介質(zhì)材料檢定系統中，檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測量?jì)x提供的測量標準是高頻標準介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測試樣品。
用戶(hù)可按需訂購，以保證測試裝置的重復性和準確性。
2.6 LJD系列 介電常數測試儀配置
配置類(lèi)型 | 普及型 | 標準型 | 精密型 |
電橋工作頻率范圍 | 100Hz～100kHz 精度：±0.02% | 20Hz～5MHz 精度：±0.02% | 20Hz～5MHz 精度：±0.02% |
配置型號 | LJD數字電橋 +DL916B測試裝置 | LJD系列 阻抗分析儀 +DL916B三電極測試裝置 | LJD系列 阻抗分析儀 +16451B介質(zhì)材料測試裝置 （能適宜各種樣品） |
介電常數范圍 | 1-1000 精度：±5% | 1-1000 精度：±2% | 1-100000 精度：±2% |
損耗因素D值范圍 | 0.0001～9.9999 四位數顯 | 0.00001～9.99999 六位數顯 | 0.00001～9.99999 六位數顯 |
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