河南酷斯特儀器科技有限公司
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更新時(shí)間：2025-01-09 11:57:41瀏覽次數：47次
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一·設備用途：1.提純金屬、半導體、有機和無(wú)機的化學(xué)材料；2.區熔致勻（使一種欲摻入的雜質(zhì)十分均勻地分布在整個(gè)單晶體中）3.焊接和測量液體中的擴散率等
一·設備用途：
1. 提純金屬、半導體、有機和無(wú)機的化學(xué)材料；
2. 區熔致勻（使一種欲摻入的雜質(zhì)十分均勻地分布在整個(gè)單晶體中）
3. 焊接和測量液體中的擴散率等。
二·設備優(yōu)點(diǎn)：
1·區熔加熱爐采用往復區熔的方式，閉環(huán)溫度控制，可靠的控制熔區的寬度問(wèn)題；生長(cháng)室的設計成功解決生長(cháng)室的污染問(wèn)題，
2·將加熱及保溫材料均設置在生長(cháng)腔室外部，采用高純石英作為腔室，同時(shí)抽真空；將流動(dòng)高純氫氣通入腔室，去除腔室中的微量氧，解決氧化的問(wèn)題；
3·開(kāi)發(fā)高柔性的控制軟件，采用觸摸屏進(jìn)行操作，任意設置區熔的溫度，區熔的速度及次數。
三·主要技術(shù)參數
1.***加熱溫度：1100℃使用溫度：500-1000℃
2.設備功率：25Kw±10%三相380v 50Hz（三相五線(xiàn)制）
3.感應電源功率：15Kw±10%三相380v 50Hz（三相五線(xiàn)制）
4.冷態(tài)極限真空度： ≤6.7×10-4Pa
5·石墨舟尺寸：Ф70*200mm（內徑*長(cháng)度，半圓柱）
6·石英管（腔室）尺寸：￠100*1200（根據實(shí)際情況做調整）
7·加熱方式：高頻感應加熱
9·區熔行程及速度：位移行程≦1000mm
慢速：1-10mm/h（伺服控制）精度0.01mm
快速：50-200mm/min（伺服控制）可根據客戶(hù)需求設計
10.爐內充氣壓力：≤0.03MPa（氬氣）
11·充氣系統： 自動(dòng)充放氣
12.區熔溫區：1溫區
13.石英管法蘭連接方式：真空水冷密封法蘭形式，留KF25真空接口，法蘭材質(zhì)304不銹鋼
14.控制方式：觸摸屏+plc
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