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    反應離子刻蝕（RIE/ICP-RIE）

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    更新時(shí)間：2024-09-05 09:59:04瀏覽次數：98次

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    反應離子刻蝕(ReactiveIonEtching,RIE)是指在平板電極間施加射頻電壓，通過(guò)產(chǎn)生的等離子體對樣品進(jìn)行化學(xué)和物理刻蝕

    詳細介紹

    反應離子刻蝕(Reactive Ion Etching, RIE)是指在平板電極間施加射頻電壓，通過(guò)產(chǎn)生的等離子體對樣品進(jìn)行化學(xué)和物理刻蝕。矽碁科技提供各類(lèi)定制化RIE設備，廣泛應用于氧化硅、氮化硅及各類(lèi)電介質(zhì)材料刻蝕，此外矽碁還可以提供電感耦合反應離子刻蝕機(ICP-RIE)，該機型可提供更高的等離子濃度，適合金屬等其他材料的刻蝕。


    技術(shù)參數：

    1 基片尺寸可定制；

    2 多層式工藝氣體導入，氣體分布均勻；

    3 獨立MFC控制箱，可靈活擴充工藝氣路；

    4 基板水冷系統，保持刻蝕時(shí)基板溫度恒定；

    5 刻蝕均勻性?xún)?yōu)于 ±5%；


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