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    磁控濺射（共濺射）

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    產(chǎn)品簡(jiǎn)介

    磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù)(PhysicalVaporDeposition,PVD)的一種

    詳細介紹

    磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù)(Physical Vapor Deposition, PVD)的一種。一般用于制備金屬、半導體、絕緣體等薄膜材料，具有設備簡(jiǎn)單、易于控制、效率高，面積大等優(yōu)點(diǎn)。

    磁控濺射原理：通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。


    技術(shù)參數：

    1 本底真空：10-7Torr到10-9Torr；

    2 單基片設計，尺寸可定制，常規尺寸2-6英寸；

    3 基片可旋轉并加熱：300℃/500℃/800℃；

    4 最多可拓展8支磁控濺射靶槍?zhuān)晒矠R射；

    5 靶槍角度可調，濺鍍距離可調，可升級強磁靶；

    6 可選配多路氣路；

    7 防交叉污染隔板設計；

    8 可配備離子束輔助沉積；

    9 可配備樣品預清洗功能；

    10 可配備快速進(jìn)樣室；

    11 可配備自動(dòng)壓力控制系統；

    12 全自動(dòng)操作系統；




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