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    日本CRESTEC電子束曝光系統(EBL)

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    品       牌

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    所  在  地廣州市

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    商鋪產(chǎn)品:13條

    所在地區:廣東廣州市

    產(chǎn)品簡(jiǎn)介

    一、公司介紹日本Crestec公司在東京成立于1995年,我們交付了EB光刻系統,遍布50多個(gè)客戶(hù)。我們也提供EB代工服務(wù)。部分客戶(hù)包括:湖南大學(xué)(中國)、上海應用物理研究所(中國)、西安交通大學(xué)(中國)、香港城市大學(xué)(香港)、工業(yè)技術(shù)研究院 (ITRI)(中國臺灣)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所 (AIST) (日本)、東

    詳細介紹

     一、公司介紹

    日本Crestec公司在東京成立于1995年,我們交付了EB光刻系統,遍布50多個(gè)客戶(hù)。我們也提供EB代工服務(wù)。

    部分客戶(hù)包括:

    湖南大學(xué)(中國)、上海應用物理研究所(中國)、西安交通大學(xué)(中國)、香港城市大學(xué)(香港)、工業(yè)技術(shù)研究院 (ITRI)(中國臺灣)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所 (AIST) (日本)、東京大學(xué)(日本)、豐田技術(shù)研究所 (日本)、豐橋工業(yè)大學(xué)(日本)、東北大學(xué)(日本)、三重大學(xué)(日本)、大阪大學(xué)(日本)、東京工業(yè)大學(xué)(日本)、理工大學(xué)(PTU-日本)、富山縣立大學(xué)(日本)、加州大學(xué)伯克利分校(美國)、Rubio Pharma y Asociados and RD Research & Technology(墨西哥)、劍橋大學(xué)(英國)、巴伊蘭大學(xué)(以色列)、阿卜杜拉國王科技大學(xué)(沙特阿拉伯)、莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(俄羅斯)、薩拉托夫國立大學(xué)(俄羅斯)、ICFO – 光子科學(xué)研究所(西班牙)、馬德里理工大學(xué)(西班牙)、CNR 萊切(意大利)、卡坦扎羅大希臘大學(xué)(意大利)、海得拉巴大學(xué)(印度)

     

    二、日本CRESTEC電子束光刻系統(EBL)

    納米光刻技術(shù)在微納電子器件制作中起著(zhù)關(guān)鍵作用,而電子束光刻在納米光刻技術(shù)制作中是方法之一。日本CRESTEC公司為21世紀納米科技提供 的電子束納米光刻(EBL)系統,或稱(chēng)電子束直寫(xiě)(EBD)、電子束爆光系統。 


    型號包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列最小線(xiàn)寬可達8nm,最小束斑直徑2nm,套刻精度 20nm(mean+2σ),拼接精度 20nm(mean+2σ)。

    技術(shù)參數:
    1.最小線(xiàn)寬:小于10nm(8nm available) 
    2.加速電壓:5-50kV 
    3.電子束直徑:小于2nm 
    4.套刻精度:20nm(mean+2σ) 
    5.拼接精度:20nm(mean+2σ) 
    6.加工晶圓尺寸:4-8英寸(standard),12英寸(option) 
    7.描電鏡分辨率:小于2nm

    主要特點(diǎn):
    1.采用高亮度和高穩定性的TFE電子槍 
    2.出色的電子束偏轉控制技術(shù) 
    3.采用場(chǎng)尺寸調制技術(shù),電子束定位分辨率(address size)可達0.0012nm 
    4.采用軸對稱(chēng)圖形書(shū)寫(xiě)技術(shù),圖形偏角分辨率可達0.01mrad 
    5.應用領(lǐng)域廣泛,如微納器件加工,Si/GaAs 兼容工藝,研究用掩膜制造,納 米加工(例如單電子器件、量子器件制作等),高頻電子器件中的混合光刻(Mix & Match),圖形線(xiàn)寬和圖形位移測量等。

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