廣州納儀科技有限公司
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更新時(shí)間：2024-09-05 09:26:34瀏覽次數：152次
聯(lián)系我時(shí)，請告知來(lái)自 紡織服裝機械網(wǎng)法國IBS公司成立于1987年，一直致力于離子注入領(lǐng)域的研發(fā)、設計制造與服務(wù)，并不斷升級和提高在該領(lǐng)域的技術(shù)水平。創(chuàng )始人是來(lái)自法方的技術(shù)專(zhuān)家，在其帶領(lǐng)下，整個(gè)技術(shù)團隊對技術(shù)更新的熱忱與努力，嚴謹低調的作風(fēng)保證了設備的高質(zhì)量和的穩定性。產(chǎn)品有多種型號包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客戶(hù)要求設計定制的能力。應用：主要用于半導體微電子襯底材料摻雜，晶圓上注入B、P、As等元素，并且具備注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。
一、公司介紹
法國IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年，一直致力于離子注入領(lǐng)域的研發(fā)、設計制造與服務(wù)，并不斷升級和提高在該領(lǐng)域的技術(shù)水平。
創(chuàng )始人是來(lái)自法方的技術(shù)專(zhuān)家，在其帶領(lǐng)下，整個(gè)技術(shù)團隊對技術(shù)更新的熱忱與努力，嚴謹低調的作風(fēng)保證了設備的高質(zhì)量和的穩定性。產(chǎn)品有多種型號包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客戶(hù)要求設計定制的能力。
二、IMC 200離子注入機技術(shù)指標
應用：主要用于半導體微電子襯底材料摻雜，晶圓上注入B、P、As等元素，并且具備注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。
注入晶圓尺寸：6英寸，兼容2-5英寸、不規則小片，最小可注入1cm2的樣品。
注入能量范圍：20-200KeV;可升級到最小3KeV或二價(jià)/三價(jià)離子，注入能量400/600Kev;
注入角度：0°、7°，可通過(guò)手動(dòng)更換夾具的方式改變注入角度0°-45°
注入劑量范圍：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2
注入均勻性：片間1o<1.0%(注入條件:1000A氧化層，11B，注入能量100KeV，注入劑量1xE14 at/cm2);
真空度：離子源:>2xE-6mbar(2xE-4Pa);
束流管:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa);
靶室:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa):
離子源真空系統初真空泵為化學(xué)干泵，高真空泵為渦輪分子泵;束流管及終端真空系統初真空泵為干泵，高真空泵為冷泵。
注入束流：11B單價(jià)離子:>600μA;
31P單價(jià)離子:>1500μA;
75As單價(jià)離子:>1500μA。
(注入條件:6英寸晶圓，注入能量120KeV-200KeV)。
氣路系統：含5路氣體:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有氣路系統都集成在機器里面能實(shí)時(shí)監控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點(diǎn)探測技術(shù)。
軟件功能：包括但不限于:權限管理、參數管理、手動(dòng)控制、實(shí)時(shí)數據、數據記錄、報警管理等。軟件可根據需求免費更新升級。
三、PULSION離子注入機技術(shù)指標
優(yōu)勢：3D浸沒(méi)式離子注入，不受形狀、大小、表面狀態(tài)限制;可靠性高，氣體消耗量低，易于維護，成本低;的脈沖等離子體配置和偏振技術(shù)，所需能量低，電流輸入輸出能力高，工藝穩定性高，可以實(shí)現保形處理;能夠以較小的占地面積處理大型部件;工藝時(shí)間短:工藝時(shí)間與待注入的機械部件的大小無(wú)關(guān)，即使要求的注入量非常高;可按照用戶(hù)要求定制;有全自動(dòng)、工程和手動(dòng)模式，工程和手動(dòng)模式下可人為控制單步驟工藝;工藝可編輯，參數可監測、控制和記錄，可查看報警歷史。
原理：把要處理的部件放在真空室中的夾具上，并浸入待注入離子電離形成的高密度等離子體中。當夾具在脈沖電壓模式下被偏置到負電壓時(shí)，開(kāi)始注入。
應用：改善表面機械性能，減少磨損、摩擦力和金屬疲勞;提高表面耐腐蝕、耐化學(xué)、耐高溫性能;改變表面理化性能如表面能、粘附性等;
提高生物相容性;逸出功工程;加氫，吸氣;
用于高級存儲器和硅基光電學(xué)的納米沉淀和納米結構
加速電壓：1 kV-10kV
標準注入電流：5 mA-100 mA (N2)
標準注入時(shí)間：30 min -3 h
可注入選項：N，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...
注入部件尺寸：<400 mmx400 mmx200 mm
輻射：在任意外部屏蔽點(diǎn)10cm處，輻射值<0.6μSv/h1
注入劑量范圍：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2
腔室idle氣壓：<5xE-6 mbar
設備尺寸：1.6x2.15x2.3m(標準型);2.15x2.15x2.3m(加大型)
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