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    低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）

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    更新時(shí)間：2024-09-05 10:05:38瀏覽次數：185次

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    聯(lián)系人：瞿經(jīng)理

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    低壓化學(xué)氣相沉積(LowPressureChemicalVaporDeposition,LPVD)是指在較低氣壓下環(huán)境進(jìn)行薄膜沉積，可進(jìn)行大面積小批量樣品沉積

    詳細介紹


    低壓化學(xué)氣相沉積(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPVD)是指在較低氣壓下環(huán)境進(jìn)行薄膜沉積，可進(jìn)行大面積小批量樣品沉積。


    技術(shù)參數：

    1 基片尺寸可定制，可達10 英寸；

    2 加熱溫度 1700 ℃，單溫區或者多溫區可選；

    3 最多可配置6路工藝氣體；

    4 配備油泵或者干泵，可選配分子泵；

    5 樣品水平，垂直兩種配置模式；

    6 可小批量量產(chǎn)；


    應用領(lǐng)域：

    LPCVD

    退火

    擴散

    氧化

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