球差場(chǎng)發(fā)射透射電子顯微鏡 HF5000
200 kV相差校正TEM/STEM，平衡了空間分辨率和傾斜、分析性能
通過(guò)單極片實(shí)現0.078 nm的STEM空間分辨率和高樣品傾斜度、高立體角EDX。
透射電子顯微鏡除了延續了日立公司配備的具有掃描透射電子顯微鏡“HD-2700”的球面像差校正器的功能、自動(dòng)校正功能，像差校正后的SEM圖像和對稱(chēng)Dual SDD技術(shù)等特點(diǎn)。還融匯了透射電子顯微鏡HF系列中所積累的技術(shù)。
對于包括用戶(hù)在內的廣泛用戶(hù)，我們提供亞Å級空間分辨率和高分析性能以及更多樣化的觀(guān)察和分析方法。
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- 附帶第二顯示器（可選），顯示屏為嵌入式合成界面。
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特點(diǎn)
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規格
特點(diǎn)
- 標配日立生產(chǎn)的照射系統球差校正器（附自動(dòng)校正功能）
- 搭載具有高輝度、高穩定性的冷場(chǎng)FE電子槍
- 鏡體和電源等的高穩定性使機體的性能大幅度提升
- 觀(guān)察像差校正SEM/STEM圖像的同時(shí)觀(guān)察原子分辨率SE圖像
- 采用側面放入樣品的新型樣品臺結構以及樣品桿
- 支持高立體角EDX*的對稱(chēng)配置（對稱(chēng)Dual SDD*）
- 采用全新構造的機體外殼蓋
- 配備日立生產(chǎn)的高性能樣品桿*
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- 選項
高輝度冷場(chǎng)FE電子槍×高穩定性×日立制球面像差校正器
以長(cháng)年積累起來(lái)的高輝度冷場(chǎng)FE電子源技術(shù)為基礎，進(jìn)行優(yōu)化，進(jìn)一步實(shí)現電子槍的高度穩定性。
此外，還更新了鏡體，電源系統和樣品臺，以支持觀(guān)察亞Å圖像，并提升了機械和電氣穩定性，然后與日立公司的球差校正器結合使用。
不僅可以穩定地獲得更高亮度更精密的探頭，而且自動(dòng)像差校正功能可以實(shí)現快速校正，從而易于發(fā)揮設備的固有性能。使像差校正可以更實(shí)用。
Si（211）單晶體HAADF-STEM圖像（左）和圖像強度曲線(xiàn)分布（右下）、FFT功率譜（右上）
支持高立體角EDX*的對稱(chēng)Dual SDD*
支持雙重配置100 mm2 SDD檢測器，以實(shí)現更高的靈敏度和處理能力進(jìn)行EDX元素分析。
由于第二檢測器位于檢測器的對面位置，因此，幾乎不會(huì )因為樣品傾斜，導致X射線(xiàn)中的信號檢測量發(fā)生變化。所以，即使是結晶性樣品，也不用顧忌信號量，可按照樣品的方向與位置進(jìn)行元素分析。
此外，對于電子束敏感樣品、低X光輻射量的樣品，除了原子列映射，在低倍、廣視野的高精細映射等領(lǐng)域也極為有效。
GaAs（110）的原子柱EDX映射
像差校正SEM圖像/STEM圖像 同時(shí)觀(guān)察
配有標配二次電子檢測器，可同時(shí)觀(guān)察像差校正SEM/STEM圖像。通過(guò)同時(shí)觀(guān)察樣品的表面和內部結構，可以掌握樣品的三維構造。
在像差校正SEM圖像中，除了可以通過(guò)校正球差來(lái)提高分辨率之外，還可以獲取更真實(shí)地樣品表面圖像。
Au/CeO2催化劑的SEM/ADF-/BF-STEM圖像（上段）和Au粒子的高分辨率圖像（下段）
規格
主要規格
| 項目 | 內容 | |
|---|---|---|
| 電子源 | W（310）冷陰極場(chǎng)發(fā)射型 | |
| 加速電壓 | 200 kV、60 kV*1 | |
| 圖像分辨率 | STEM | 0.078 nm（ADF-STEM圖像） |
| TEM | 0.102 nm（晶格像） | |
| 倍率 | STEM | ×20～×8,000,000 |
| TEM | ×100～×1,500,000 | |
| 樣品微動(dòng) | 樣品臺 | 偏心測角儀（Eucentric Goniometer）5軸樣品臺 |
| 樣品尺寸 | 3 mm Φ | |
| 移動(dòng)范圍 | X, Y＝±1.0 mm，Z=±0.4 mm | |
| 樣品傾斜 | α＝±25°、β＝±35°（日立2軸傾斜樣品桿*1） | |
| 像差校正器 | 配有日立照射系統球面像差校正器（標配） | |
| 圖像顯示 | PC | Windows® 7 *2 |
| 顯示器 | 27英寸寬屏液晶顯示器（機體控制顯示器、第二顯示器*1） | |
| 攝像頭 | 標配伸縮式攝像頭 屏幕攝像頭*1（用于熒光板觀(guān)察） | |
機體尺寸/重量
| 項目 | 寬度×進(jìn)深×高度（mm） | 重量（kg） |
|---|---|---|
| 鏡體（含電子槍?zhuān)?/th> | 1,060×1,742×2,970 | 1,940 |
| 機體外殼蓋 | 1,678×1,970×3,157 | 429 |
| 操作臺 | 1,400×819×740 | 132 |
| 擴展操作臺*1 | 580×819×740 | 53 |
| FE槽 | 1,041×840×1,317 | 482 |
| V0槽 | 398×630×1,046 | 164 |
| 控制電源 | 1,400×693×816 | 173 |
| 像差校正器電源 | 606×529×1,096 | 81 |
| 排氣系統電源 | 913×663×1,790 | 378 |
| 轉向系統電源 | 913×663×1,790 | 394 |
| 配重塊 | 280×130×130 | 23 |
| Gatan控制器*1*3 | 576×648×1,173 | 150 |
| 冷卻水控制裝置 | 470×540×350 | 25 |
| 冷卻水循環(huán)裝置*1*3 | 970×970×1,064 | 95 |
| 干式泵*1 | 252×400×336 | 23 |
| 空壓機*1 | 275×560×576 | 25 |
安裝條件
| 項目 | 內容 | |
|---|---|---|
| 室溫 | 15～23℃（溫度變化：0.2℃/h以?xún)龋?/td> | |
| 濕度 | 40～60% RH | |
| 電源 | 機體 | 單相AC200～240 V ±10%、50/60 Hz、10 kVA 斷路器容量 50 A |
| 冷卻水循環(huán)裝置*1*3 | 三相AC200 V ±5%、50/60 Hz、30 A | |
| 接地 | D種接地（100 Ω以下） | |
| 冷卻水 | 水量 | 5.1～5.3 L/min 1系統、2.0～2.2 L/min 1系統 （水壓0.25 MPa） |
| 水溫 | 16～18℃（變動(dòng)：±0.1℃以?xún)龋?/td> | |
| 氣體 | SF6 | 99.9%以上、180 k～200 kPa |
| 干氮 | 99.9%以上、0～100 kPa | |
| 壓縮空氣 | 600 k～800 kPa | |
購買(mǎi)之前，請設置預定安裝處測量振動(dòng)、磁場(chǎng)和噪聲，如果超過(guò)容許值，請務(wù)必另行咨詢(xún)。
關(guān)于容許值，請另行咨詢(xún)。
- 備注
- *1：選項。*2：Windows是在美國以及其他國家的注冊的美國Microsoft Corp.商標。*3：規格、尺寸均根據廠(chǎng)家、型號和配置的不同而會(huì )有所不同。
布局示例
※使用上述配置(包含維護工具），整體設備總重量約為5,000kg。
※請檢查地面強度（kg/m2）＞3×設備總重量（kg）/占地面積（m2）。
關(guān)聯(lián)產(chǎn)品分類(lèi)
- 聚焦離子束
- TEM/SEM樣品的前處理裝置
