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    熱絲輔助化學(xué)氣相沉積（HWCVD／HW-PECVD）

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    更新時(shí)間：2024-09-05 10:01:24瀏覽次數：197次

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    產(chǎn)品簡(jiǎn)介

    熱絲輔助化學(xué)氣相沉積(HotWireAssistedChemicalVaporDeposition,HWCVD)是指在加熱絲輔助的條件下進(jìn)行薄膜化學(xué)氣相沉積，適合做高溫的結晶材料，加熱絲輔助的同時(shí)還可以利用等離子體增強線(xiàn)圈進(jìn)一步輔助，從而提高制備出來(lái)的薄膜的晶體取向性

    詳細介紹

    熱絲輔助化學(xué)氣相沉積(Hot Wire Assisted Chemical Vapor Deposition, HWCVD)是指在加熱絲輔助的條件下進(jìn)行薄膜化學(xué)氣相沉積，適合做高溫的結晶材料，加熱絲輔助的同時(shí)還可以利用等離子體增強線(xiàn)圈進(jìn)一步輔助，從而提高制備出來(lái)的薄膜的晶體取向性。


    技術(shù)參數：

    1 基片尺寸可定制；
    2 加熱溫度 2000℃；
    3 樣品臺加熱溫度500℃；
    4 ICP等離子體增強可選；


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