磐石創(chuàng )新（江蘇）電子裝備有限公司
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更新時(shí)間：2023-10-09 12:24:31瀏覽次數：125次
聯(lián)系我時(shí)，請告知來(lái)自 紡織服裝機械網(wǎng)原子層沉積技術(shù)以精準控制薄層厚度，均勻性，保型性而著(zhù)稱(chēng)，廣泛應用于集成電路（IC）行業(yè)，它使得電子器件持續微型化成為可能，逐漸成為了微電子器件制造，半導體領(lǐng)域的必要技術(shù)。例如用于制備晶體管柵堆垛、刻蝕終止層。 緊湊型原子層沉積系統，系統為全自動(dòng)的安全互鎖設計，并提供了強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜。（可沉積氧的化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O等；氮化物：TiN,Si3N4等；） 應用領(lǐng)域包含半導體、光伏、MEMS等。帶有加熱腔壁及屏蔽層，非常方便腔體的清潔。該系統擁有一個(gè)載氣艙包含4個(gè)50ml的加熱源，用于前驅體以及反應物，同時(shí)帶有N2作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。
原子層沉積技術(shù)以精準控制薄層厚度，均勻性，保型性而著(zhù)稱(chēng)，廣泛應用于集成電路（IC）行業(yè)，它使得電子器件持續微型化成為可能，逐漸成為了微電子器件制造，半導體領(lǐng)域的必要技術(shù)。例如用于制備晶體管柵堆垛、刻蝕終止層。
緊湊型原子層沉積系統，系統為全自動(dòng)的安全互鎖設計，并提供了強大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜。（可沉積氧的化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O等；氮化物：TiN,Si3N4等；）
應用領(lǐng)域包含半導體、光伏、MEMS等。帶有加熱腔壁及屏蔽層，非常方便腔體的清潔。該系統擁有一個(gè)載氣艙包含4個(gè)50ml的加熱源，用于前驅體以及反應物，同時(shí)帶有N2作為運載氣體的快脈沖加熱傳輸閥。
ALD原子層沉積設備特點(diǎn)
·不均勻性低于1%；
·陽(yáng)極氧化鋁腔體；
·小反應腔體容積確?？焖俚难h(huán)時(shí)間并提高質(zhì)量；
·可支持4英寸的基片；
·最多支持4路50cc/100cc前驅體源；
·高深寬比結構的保形生長(cháng)。
技術(shù)參數
| 設備尺寸：800X800X495mm | |
| 4英寸及以下兼容基片 | |
| 3D 復雜表面襯底 | |
| 多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品 | |
| 樣品加熱50-260℃，精度±1℃ | |
| 前驅體及管路：液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)，加熱溫度室溫~180℃ | |
| 標準設備驗收標準為 Al2O3 工藝 |
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