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    化學(xué)氣相沉積（PECVD）

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    化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposition,CVD)是指高溫環(huán)境下氣態(tài)反應劑在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應生成薄膜的過(guò)程，廣泛應用于金屬、氧化物、氮化物及碳化物等無(wú)機薄膜的制備

    詳細介紹

    化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)是指高溫環(huán)境下氣態(tài)反應劑在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應生成薄膜的過(guò)程，廣泛應用于金屬、氧化物、氮化物及碳化物等無(wú)機薄膜的制備。PECVD(Plasma Enhanced CVD)是借助射頻使氣體電離產(chǎn)生局部等離子體，等離子體活性可有效促進(jìn)反應，從而降低反應溫度，加快成膜速率。


    技術(shù)參數：

    1 基片尺寸可定制；

    2 低溫工藝：< 150℃ / 350℃；

    3 多層式工藝氣體導入，氣體分布均勻；

    4 獨立MFC控制箱，可靈活擴充工藝氣路；

    5 基片內鍍膜均勻性?xún)?yōu)于 ±5%；

    6 可與手套箱集成；


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