深圳市汐品科技有限公司
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更新時(shí)間：2025-01-10 13:23:30瀏覽次數：50次
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追求理想的三維結構分析通過(guò)自動(dòng)重復使用FIB制備截面和進(jìn)行SEM觀(guān)察，采集一系列連續截面圖像，并重構特定微區的三維結構。采用的鏡筒布局，從材料、設備到生物組織——在寬廣的領(lǐng)域范圍內實(shí)現傳統機型難以企及的高精度三維結構分析。SEM鏡筒與FIB鏡筒互成直角，形成三維結構分析的鏡筒布局融合高亮度冷場(chǎng)發(fā)射電子槍與高靈敏度檢測系統，從磁性材料到生物組織——支持分析各種樣品通過(guò)選配口碑良好的Micro-sampling®系統*和Tripl...
追求理想的三維結構分析
通過(guò)自動(dòng)重復使用FIB制備截面和進(jìn)行SEM觀(guān)察，采集一系列連續截面圖像，并重構特定微區的三維結構。
采用的鏡筒布局，從材料、設備到生物組織——在寬廣的領(lǐng)域范圍內實(shí)現傳統機型難以企及的高精度三維結構分析。
SEM鏡筒與FIB鏡筒互成直角，形成三維結構分析的鏡筒布局
融合高亮度冷場(chǎng)發(fā)射電子槍與高靈敏度檢測系統，從磁性材料到生物組織——支持分析各種樣品
通過(guò)選配口碑良好的Micro-sampling®系統*和Triple Beam®系統*，可支持制作高品質(zhì)TEM及原子探針樣品
| 項目 | 內容 | |
|---|---|---|
| SEM | 電子源 | 冷場(chǎng)場(chǎng)發(fā)射型 |
| 加速電壓 | 0.1 ～ 30 kV | |
| 分辨率 | 2.1 nm@1 kV | |
| 1.6 nm@15 kV | ||
| FIB | 離子源 | 鎵 |
| 加速電壓 | 0.5 ～ 30 kV | |
| 分辨率 | 4.0 nm@30 kV | |
| 束流 | 100 nA | |
| 標準探測器 | In-colum二次電子探測器/In-colum背散射電子探測器/ 樣品室二次電子探測器 | |
| 樣品臺 | X | 0 ～ 20 mm *2 |
| Y | 0 ～ 20 mm *2 | |
| Z | 0 ～ 20 mm *2 | |
| θ | 0 ～ 360° *2 | |
| τ | -25 ～ 45° *2 | |
| 樣品尺寸 | 正方形邊長(cháng)6 mm × 厚度2 mm | |
*2：
根據樣品座不同，行程不同
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