磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù)(Physical Vapor Deposition, PVD)的一種。一般用于制備金屬、半導體、絕緣體等薄膜材料，具有設備簡(jiǎn)單、易于控制、效率高，面積大等優(yōu)點(diǎn)。
磁控濺射原理：通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。
技術(shù)參數：
1 本底真空：10-7Torr到10-9Torr；
2 單基片設計，尺寸可定制，常規尺寸2-6英寸；
3 基片可旋轉并加熱：300℃/500℃/800℃；
4 最多可拓展8支磁控濺射靶槍?zhuān)晒矠R射；
5 靶槍角度可調，濺鍍距離可調，可升級強磁靶；
6 可選配多路氣路；
7 防交叉污染隔板設計；
8 可配備離子束輔助沉積；
9 可配備樣品預清洗功能；
10 可配備快速進(jìn)樣室；
11 可配備自動(dòng)壓力控制系統；
12 全自動(dòng)操作系統；
